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第6章??? 光电式传感器 资料来自互联网，由宋玉宏整理 第6章??? 光电式传感器 ? 概述 外光电效应器件 内光电效应器件 新型光电传感器 光敏传感器的应用举例 注意： 光敏三极管的灵敏度高，如果没有特殊要求，中间脚空着不用，如需要对信号进行偏置，调制等，可从基极(中间脚)注入。 （四） 其它光电传感器 （一）色敏光电传感器 （二）光固态图象传感器 （三）光电耦合器 光电池的示意图 硅光电池的结构如图所示。它是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质(如硼)形成PN结。当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。若将PN结两端用导线连起来，电路中有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。 1. 光电池的结构和工作原理 + 光 P N － SiO2 RL (a) 光电池的结构图 I 光 (b) 光电池的工作原理示意图 P N 光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。 I U Id U I RL IΦ (a) (b) (c) 图4.3-17 光电池符号和基本工作电路 L/klx ? L/klx ? 5 4 3 2 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 2 4 6 8 10 开路电压 Uoc /V 0.1 0.2 0.3 0.4 ? 0.5 0.3 0.1 0 1 2 3 4 5 Uoc/V Isc /mA Isc/mA (a) 硅光电池 (b)硒光电池 （1）光照特性 开路电压曲线：光生电动势与照度之间的特性曲线，当照度为2000lx时趋向饱和。 短路电流曲线：光电流与照度之间的特性曲线 2. 基本特性 开路电压 短路电流 短路电流 短路电流，指外接负载相对于光电池内阻而言是很小的。光电池在不同照度下，其内阻也不同，因而应选取适当的外接负载近似地满足“短路”条件。 下图表示硒光电池在不同负载电阻时的光照特性。从图中可以看出，负载电阻RL越小，光电流与强度的线性关系越好，且线性范围越宽。 0 2 4 6 8 10 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 I/mA L/klx ? 50Ω 100Ω 1000Ω 5000Ω RL=0 20 40 60 80 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.2 I / % 1 2 λ/μm (2) 光谱特性 光电池的光谱特性决定于材料。从曲线可看出，硒光电池在可见光谱范围内有较高的灵敏度，峰值波长在540nm附近，适宜测可见光。硅光电池应用的范围400nm—1100nm，峰值波长在850nm附近，因此硅光电池可以在很宽的范围内应用。 1——硒光电池 2——硅光电池 (3) 频率特性 光电池作为测量、计数、接收元件时常用调制光输入。光电池的频率响应就是指输出电流随调制光频率变化的关系。由于光电池PN结面积较大，极间电容大，故频率特性较差。图示为光电池的频率响应曲线。由图可知，硅光电池具有较高的频率响应，如曲线2，而硒光电池则较差，如曲线1。 20 40 60 80 100 0 I / % 1 2 3 4 5 1 2 f / kHz 1——硒光电池 2——硅光电池 （4）温度特性 光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的关系。由图可见，开路电压与短路电流均随温度而变化，它将关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响到测量或控制精度等主要指标，因此，当光电池作为测量元件时，最好能保持温度恒定，或采取温度补偿措施。 20 0 40 60 90 40 60 UOC/ mV T / oC ISC UOC ISC / μA 600 400 200 UOC——开路电压 ISC ——短路电流 硅光电池在1000lx照度下的温度特性曲线 （三）光敏二极管和光敏三极管 光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。它和光电池相比，重要的不同点是结面积小，因此它的频率特性特别好。光生电势与光电池相同，但输出电流普遍比光电池小，一般为几μA到几十μA。按材料分，光电二极管有硅、砷化镓、锑化铟光电二极管等许多种。按结构分，有同质结与异质结之分。其中最典型的是同质结硅光电二极管。 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。2CU系列以N-Si为