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传感与检测技术复习题 一、填空题 1．传感器是一种将 非电 信号转换为 电 信号的装置，它主要由 敏感元件 和 转换元件 组成。 2．系统误差影响测量结果的 准确度 ，随机误差影响测量结果的 精密度 。 3．金属电阻应变片灵敏系数主要由 1+2μ 变化量决定，其数值一般可达 2～4 。 4．半导体电阻应变片灵敏系数主要由 лΕ 变化量决定，其数值一般可达 100 以上 。 5．差动变压器是利用两线圈 互感 的变化来检测位移的。 6．高频反射式电涡流传感器主要用于检测 位移 。 7．低频透射式电涡流传感器主要用于检测 金属薄板厚度 。 8．电阻应变传感器主要用于测 力 。 9．电感传感器主要用于测 位移 。 10．电容传感器按转换原理可分为 变极板面积S型 、 变极板间距离d型 、 变极板间介质的介电常数ε型 三类。 11．变d型电容传感器差动脉冲调宽电路输出电压UO与变化量△d成 正比 ，而与脉冲频率的变化 无关 。 12．按原理分析可知，热电偶回路总电势应等于 热端接触电势 、 冷端接触电势 、 导体A温差电势 、 导体B温差电势 等项的代数和。 13．如果热电偶的冷、热端温度相等，热电偶回路总电势应等于 零 。 14．目前常用的压电材料是 石英晶体 和 压电陶瓷 。 15．压电元件压电效应输出的电量很 小 ，因而其输出电路的前置放大器不但要有 很大 的放大倍数，而且要有 很高 的输入阻抗。 16．霍尔传感器的理论基础是 霍尔效应 ，霍尔电压UH与控制电流I成 正比 ，霍尔电压UH与磁感强度B成 正比 。 17．光电传感器的理论基础是光电效应。光电效应依其表现的不同，通常可分为 光电导效应 、 光生伏特效应、 光电发射效应 三类 18．锗光敏器件最敏感的光波长为 1500nm ，硅光敏器件最敏感的光波长为 800nm 。 19．光栅常数W指的是 亮条与暗条宽之和(光栅的栅距) ，莫尔条纹的间距BH与光栅常数W成 正比 ，与两光栅尺栅条之间的夹角β成 反比 。 20．CCD图像传感器的基本单元是一个 MOS电容器 。 21．光纤传感器是以 光 作为信息的载体，光纤是由 绝缘 材料制作成的，因而光纤是 不 导电的。 二、单项选择题 1．仪表的精度等级是用仪表的A．相对误差；B．绝对误差 ；C．满度相对误差来表示的。（ C ） 2．应变片在接差动测量电桥时，相反应变的应变片接桥臂的A．相邻边；B．相对边；C．相邻或相对边。（ A ） 3．变气隙式自感传感器，当气隙减小时，铁芯上的线圈电感量A．增加；B．减小；C．不变。（ A ） 4．差动变压器是利用两线圈的A．自感变化；B．互感变化；C．电阻变化；来实现位移测量的。（ ）A．；B．；C．不变。（ B ）．A．B．C． 7．为了提高电容传感器的灵敏度，通常A．扩大电容两极板的面积；B．提高电容两极板间的介电常数；C．减小电容两极板间的距离。（ C ） 8．热电偶回路电动势与组成热电偶的两导体A．长度尺寸有关；B．热电特性有关；C．中间温度有关。（ B ） 9．常用的半导体热敏电阻NTC具有很高的A．正温度系数；B．负温度系数；C．临界温度系数。（ B ） 10．在压电传感器中，若各压电元件采取并联接法时，传感器可以等效为一个A．电流源；B．电压源；C．功率源。（ A ） 11．霍尔元件霍尔效应的建立时间极短，因而霍尔元件可用来制作A．电流计；B．高斯计 ；C霍尔开关。（ C ） 12．磁敏二极管在正偏压下，正向磁场H+⊙可使通过磁敏二极管的偏流A．增大；B．减小；C．不变。（ B ） 13．光敏晶体管是典型的A．光电导效应器件；B．光生伏特效应器件；C．光电发射效应器件。（ B ） 14．光纤的数值孔径NA表示当光从空气中入射到纤芯端面时，能在纤芯中形成全反射传输的最大A．入射光锥半角之正弦；B．入射光锥半角之余弦；C．入射光锥之全角。（ A ） 三、简答题 1．传感器静态特性主要有：线性度、灵敏度、迟滞性、重复性、精度 2．产生系统误差的主要原因有：测试环境没有达到标准；测试仪表不够完善；测试电路的搭接或系统的安装不正确；测量人员的不良操作或视觉偏差。 3．应变片测量电桥可分为：单臂桥、半桥、全桥 4．差动变压器零点残余电压消除的方法有：①提高差动变压器的组成结构及电磁特性的对称性； ②引入相敏整流电路对差动变压器输出电压进行处理；③采用外电路补偿。 5．影响电