3-5-1热电探测器.pptVIP

* 工作时，接成桥式电路或以补偿元件为负载接放大器。 图中RT1为接收元件，RT2为补偿元件，R1，R2，R3为普通电阻。 对于右图，如果有入射辐射，则测辐射热计的电阻，将因温升而产生一微量变化dRT，于是所产生的信号电压为: Us=idRT * 1.响应率 由电阻温度系数： 则 电压响应率为: 四、特性参量 * 要测辐射热计的电压响应率大，则i、αT、RT、α都要大，G、ω、H都要小，但这些量都要受诸多因素制约，只能折衷选取，而不能任意增减。 (1)由电路图可知，要求放大器的输入阻抗要远大于RT，这就限制了RT不能任意大。另外，假如RT很大，则它的引线的杂散电容和放大器的输入电阻等所构成的时间常量就有可能大于热时间常量。这时，将使频率特性变坏。 * (2) αT决定于材料。 对于大多数金属，αT ≈1／T。 对于大多数半导体，在某有限温区内αT≈300／T。通过致冷可提高αT。 (3) 为了提高吸收系数α，光敏面要黑化。 (4) 为了减小G，可使接收元件装在一个 真空的外壳里。但G小，热时间常量要变大，频率特性变坏。 有时为了提高频率特性，宁可牺牲一些响应率，而把测辐射热计粘在一块热导率很大的衬底上，以取得小的热时间常量。 (5) i不能太大，因i较大，产生的焦耳热会使元件温度提高，如果αT是负值可能因为RT变小而产生破坏性的热击穿。另外i大后噪声也随之增大。这样，就限制了i的取值。 * 2.噪声等效功率 主要因素是热噪声和温度噪声。 在室温下，测辐射热计的NEP：可达10-6— 10-9w． 在致冷到液氦温度(3K)时，可达10-13 —10-14w。 * 五、实用器件 制作测辐射热计光敏面的材料，金属类的多为镍、铋等薄膜，半导体类的多为金属氧化物， 例如氧化锰、氧化镍、氧化钴等。 除了热敏电阻类的测辐射热计外，还有超导测辐射热计、硅测辐射热计和锗测辐射热计。 * 碳测辐射热计已用于极远红外波段的光谱测量。敏感元件是从碳电阻上切下来的一小块，致冷到2.1K时，其D*要比热敏电阻测辐射热计高一个数量级。 锗测辐射热计的敏感元件是锗掺镓单晶，致冷到2.1K时，其D*比热敏电阻测辐射热计约高1—2个数量级，它的光谱响应可延伸到1000nm以外。 * 第三章光电探测器 3.1 光电探测器的物理基础 3.2 光电子发射探测器 3.3 光电导探测器 3.4 光伏探测器 3.5 热电探测器 3.6 光电成值器件 3.7 各类光电探测器的性能及应用比较 * 3.5 热电探测器 3.5.1 基本原理 3.5.2 热电偶和热电堆 3.5.3 测辐射热计 3.5.4 热释电探测器 * 原理：热电探测器是不同于光子探测器的另一类探测器。它是基于光辐射与物质相互作用的热敏效应制作的器件。这是一类研究得最早并且最早得到实际应用的探测器。 优点： 不需致冷 在很宽的光谱波段有平坦的响应 应用广泛,甚至在某些领域中它是光子探测器所不能替代的。 缺点： 探测率较低 时间常量较大 要同时获得灵敏度高、响应快的性能是困难的。 * 3.5.1 基本原理 对热电探测器的分析可分为两步： 第一步：是按系统的热力学特性来确定入射辐射所引起的温度升高； 第二步：是根据温升来确定具体探测器输出信号的性能。 第一步对各种热电探测器件都适用， 而第二步则随具体器件而异。 首先讨论第一步的内容， 第二步在讨论各种类型的探测器时再作分析。 * 一、热回路方程 图中 为入射到探测器的辐射功率， 若探测器的吸收系数为α，则探测器实际吸收的辐射功率为 。 H为热容；G为热导； T0为环境温度， 探测器吸收辐射后其温度为T＝T0+ΔT； 其中ΔT为入射辐射引起的温升。 P * 能量守恒：探测器吸收的辐射应等于单位时间内系统内能的增量和与外界热交换时所损耗的功率之和。因此，可建立以下的热回路方程： 利用初始条件：t＝0时，ΔT＝0，解得: 第一项为直流分量。只考虑交变分量。 * 其幅值为： τT＝H/G，它是热电探测器的热时间常量，其意义为当 t＝τT时，热电探测器的温升衰减为初始值的1／e。 τT的数量级约为几毫秒至几秒，比光子器件的时间常量大得多。 * 二、热电探测器的共性 要减小H：必须减小探测器热敏元件的体积和重量； 要减小G：必须减小热敏元件与周围环境的热交换。 τT＝H/G 当H值已达到最小值时，由热时间常量τT的定义可知，G的减小就会使τT增大。在设计和选用热电探测器时须采取折衷方案。 1.影响温升的因素 * 2.G对探测极限的影响 探测器与外界的热耦合主要有辐射交换和热传导两种形