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* ②螺位错 (Screw dislocation) 位错线和和伯格斯矢量滑移方向相互平行的,和位错线相垂直的平行面不再同一水平,形成螺旋状,称为螺旋位错。有左、右旋之分,分别以 “?”和“?”表示。其中小圆点代表与该点垂直的位错,旋转箭头表示螺旋的旋转方向。它们之间符合左手、右手螺旋定则。 螺位错示意图 * * * 2、影响因素的主次性 在外界条件(温度、压力)一定的情况下,对于氧化物系统,影响固溶度的最主要的因素是离子半径大小、晶体结构类型和电价。但是有时并不同时起作用,例如在铝硅酸盐矿物中,rSi3+=0.026nm,rAl3+=0.039nm, ?r=45%,且电价不同,但是Si-O、Al-O键性接近,键长也接近,仍然能形成置换固溶体。 * 定 义:若杂质原子比较小,它们能进入晶格的间隙位置内,这样形成 的固溶体称为间隙型固溶体。 1、形成间隙型固溶体的条件 1)杂质质点大小 即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。 2)基质晶体结构 离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。 三、间隙型固溶体 * 3)电价因素 外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。例如YF3加入到CaF2中: 当F-进入间隙时,产生负电荷,由Y3+进入Ca2+位置来保持位置关系和电价的平衡。 间隙式固溶体的生成,—般都使晶格常数增大,增加到一定的程度,使固溶体变成不稳定而离解,所以填隙型固溶体不可能是连续的固溶体。晶体中间隙是有限的,容纳杂质质点的能力≤10%。 * 2、举 例 在面心立方结构中,例如MgO中,氧八面体间隙都已被Mg离子占满,只有氧四面体间隙是空的。在TiO2中,有二分之一的八面体空隙是空的。在萤石结构中,氟离子作简单立方排列,而正离子Ca2+只占据了有立方体空隙的一半,在晶胞中有一个较大的间隙位置。在沸石之类的具有网状结构的硅酸盐结构中,间隙就更大,具有隧道型空隙。因此,对于同样的外来杂质原子,可以预料形成填隙式固溶体的可能性或固溶度大小的顺序将是沸石萤石TiO2MgO。实验证明是符合的。 * 1、对材料物理性质的影响 1)晶胞参数 固溶体的晶胞尺寸随组成而连续变化。例如对于立方结构的晶体,晶胞参数与固溶体组成的关系可表示为: (ass)n = (a1)nc1 + (a2)nc2 式中:ass、a1、a2分别为固溶体、溶质、溶剂的晶胞参数; c1、c2为溶质、溶剂的浓度; n为描述变化程度的一个任意幂 因此,可以利用固溶体的晶格常数与组成间的关系,对未知组成的固溶体进行定量分析。 四、形成固溶体后对晶体性质的影响 * 2)电性能 固溶体的电性能随杂质浓度呈连续变化。因此可以制造出各种奇特性能的电子陶瓷材料。 3)光学性能 利用掺杂来调节和改变晶体光学性能。例如各种人造宝石都是固溶体,它们在主晶相Al2O3中加入不同的着色剂,而形成不同颜色的宝石。 纯刚玉 蓝宝石 红宝石 4)机械强度 可以通过杂质的加入来提高材料的强度。如钢中的马氏体是一种碳和铁形成的固溶体,铁原子作体心立方排列,碳原子择优占据了c轴上八面体的间隙位置,含碳量越高,长轴c和短轴a的比值越大,马氏体的强度和硬度也随含碳量的增加而升高。 * 2、固溶强化作用 定 义:固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低,称为 固溶强化。 固溶强化的特点和规律: 1)间隙式溶质原子的强化效果一般要比置换式溶质原子更显著; 2)溶质和溶剂原子尺寸相差越大或固溶度越小,固溶强化越显著。 实际应用: 铂、铑单独做热电偶材料使用,熔点为1450℃,而将铂铑合金做其中的一根热电偶,铂做另一根热电偶,熔点为1700℃,若两根热电偶都用铂铑合金而只是铂铑比例不同,熔点达2000℃以上。 * 3、活化晶格 形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应。如,Al2O3熔点高(2050℃),不利于烧结,若加入TiO2,可使烧结温度下降到1600℃,这是因为Al2O3与TiO2形成固溶体,Ti4+置换Al3+后,带正电,为平衡电价,产生了正离子空位,加快扩散,有利于烧结进行。 4、稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生 (1)
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