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- 2016-06-11 发布于湖北
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Copyrights ?2007 AUX Group 晶界包覆对CeO2基固态电解质导电行为 的影响 报告内容 研究背景与现状 目的和意义 主要研究内容及实施方案 现阶段实验进展及困难 预期效果 界面空间电势的形成: CeO2 基固态电解质的晶粒表面和界面由大量含有氧缺位的不完整氧八面体组成,氧空位的富集使晶粒表面或界面形成正电势Δφ。该正电势对晶粒边缘区内的载流子氧空位 VO.. 产生排斥作用,使晶粒边缘形成一个低浓度的 VO..耗尽层,即空间电荷层。 φ 图a 空间电荷层区域示意图 图b 空间电荷层氧空位浓度示意图 界面空间电势的形成产生的影响: 在高氧分压下掺杂CeO2 是一种纯离子导体,正的界面空间电势将对载流子氧空位产生排斥,使晶粒边缘空间电荷层内载流子浓度和晶界离子电导率相对于体相下降2-3 个数量级,成为制约多晶CeO2基固态电解质离子电导率提高的障碍。 在低氧分压下CeO2又具有一定的电子导电能力(混合导体),正的界面空间电势将使电子浓度和电子电导率极大提高。 降低影响的方法: 当固溶异价元素(如在CeO2 内固溶Gd2O3 、Sm2O3)后,在固溶产生的弹性应力场和界面电势场的驱使下,带负电的代位离子GdCe或SmCe将向晶粒边界偏聚,该负电荷部分降低、但仍不足以完全消除界面区由氧空位富集而产生的正电势,界面仍保持氧空位
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