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半导体光电子学课程报告 ——半导体激光器 1、半导体的基本结构 半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的p-n 结或p-i-n结为工作物质的一种小型化激光器。目前已制成激光器的半导体材料有砷化镓( GaAs) 、砷化铟( InAs) 、锑化铟( InSb)等等几十种材料，在半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式、光泵式和高能电子束激励式。绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入,即给p-n 结加正向电压,以使在结平面区域产生受激发射,因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。 半导体激光器的使用 2.1选择原因 从第一个半导体激光器发明以来，使用波长范围从红外、红光到蓝绿光。通过各种不同的结合方式使得激光器的激射阈值电流由几百mA降到几十mA ,直到亚mA ,其寿命达到上百万小时。从最初的低温(77K) 下运转发展到室温下连续工作, 输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)。同时还具备效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10 %以上,最大可达50 %) ， 便于直接调制、省电等等，正是这些优点，在选择激光器运用于其他方面时，半导体激光器更优于其他类型的激光器。 2.2使用要求 在使用半导体激光器时，最重要是光源的选择，能产生想干辐射的光源要满足三个条件： 实现有源区（激励介质）载流子的粒子数反转； 以半导体晶体的自然解理面为反射镜构成谐振腔，多次反馈振荡形成激光。 选择合适的激励介质，注入足够强的电流，实现大增益，特点波长的光被放大都能连续输出。 2.3应用 半导体激光器的最主要应用领域是Gb 局域网；在光电子学领域，激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面有广泛的应用。由于半导体激光器超小型、高效率和高速工作的优异特点,当与光通信技术紧密结合在一起,就能实现光通信中各个方面功能。半导体激光器再加上低损耗光纤,对光纤通信产生了重大影响。因此可以说,没有半导体激光器的出现,就没有当今的光通信。 具体的应有有，量子阱半导体大功率激光器可用于精密机械零件的激光加工方面，而长波长激光器可用于光通信,短波长激光器用于光盘读出，蓝绿光半导体激光器用于水下通信、激光打印、高密度信息读写、深水探测及应用于大屏幕彩色显示和高清晰度彩色电视机，还有量子级联激光的新型激光器应用于环境检测、医检领域，绿光到紫外光的垂直腔面发射器可用于超高密度、光存储、全色平板显示、大面积发射、照明、光信号、光装饰、紫外光刻、激光加工和医疗等方面。 2.3主要性能参数 对于各种激光器的常见性能参数括电压一电流特性、光功率一电流特性、阈值特性、光谱性质、光强分布、输出功率和转换效率、激光器的温升和热阻等。 2.5.1电压一电流特性 半导体激光器的V一I特性指在外加电流注入激光器时,随着注入电流的变化,激光器端电压的变化情况,其特性曲线与二极管电流电流电压方程类似 其中的m值,称之为结的特性参量或理想因子,是结特性的重要标志。 图1 半导体激光器的伏安特性曲线 从上图可以看出,在第一象限随着输入激光器的电流的增加，电流变化较快时,电压变化很慢,激光器进入正常工作状态，其正常工作状态应处于第一象限内。 2.5.2光功率-电流特性 激光器总的发射功率(P)与注入电流(I)的关系曲线称为功率一电流（P-I）曲线。 图2 半导体激光器的功率一电流特性 由图可以看出随着激光器注入电流的增加,其输出光功率增加,但是不成直线关系,存在一个阀值Ith,当注入电流大于Ith后,输出光功率随注入I增加而增加,且呈线性变化,此时发C出相干性很强的受激辐射光。 2.5.3阈值特性 当半导体器件的注入电流I增大,有源区里实现了粒子数反转,受激辐射占主导地位,才能发射激光。阈值电流可以由单模速率方程的稳态解求得。速率方程： 其中,N(t)表示有源区中的电子密度;S(t)表示有源区中的光子密度;曲线d2P/dI2的顶点作为阈值点。 图3 半导体激光器典型特性曲线 激光器的阈值条件说明,只有谐振腔里的增益增大到能够克服损耗,才能建立起稳定的光振荡,输出谱线尖锐,方向性好的激光。而增大增益的方法就是加大I输入,因此Ith决定着器件的功耗、连续工作时间和使用寿命。Ith低,则功耗低,连续工作时间就长,使用寿命就长,稳定性也就高。 2.5.4光谱特性 光谱指的是不同成分的光所占的比例,光波成分在激光器的工作过程中不断发生变化,以电流阈值为界：当电流由小变大时,激光器发光的光谱分布发生变化,在I没有达到Ith时,荧光光谱很宽,当I=Ith时以受激发射为主,因而谱线变得尖锐,出现一个或几个又窄又高的峰值。 2.5.5 输出光强分布 激光器的光