石墨烯的研究进展(鲁宁宁)解说.docx

石墨烯研究进展 刘俊龙，鲁宁宁，葛宝友 (大连工业大学，大连市甘井子区轻工苑1号 大连工业大学材料与纺织学院 116034) 摘要 石墨烯是2004年才被发现的一种新型二维纳米材料，其特殊的结构决定了有独特的性质。自从被发现以来受到了全世界研究者的广泛关注，本文以大量的文献为依托对石墨烯的制备、性质以及应用进行了综合论述，并讨论了石墨烯的未来的研究方向。本文使没有接触过石墨烯的研究者对石墨烯有全方位的认识，也为石墨烯的研究者提供研究依据和方向参考。 关键词： 石墨烯 修饰 掺杂 吸附 什么是石墨烯 石墨烯（Graphene）是碳原子紧密排列成单层蜂窝状（Honeycomb）晶格结构的一种碳质材料，是一种自由态原子晶体，能够构建零维富勒烯（1985年发现）、一维碳纳米管（199年发现）、三维体相石墨，在电子、力学、能量存储、传感器及太阳能电池等方面有很多特殊的性质。 石墨烯的研究历史不过60年，时间并不算很长，然而自从2004年英国曼彻斯特大学Kostya Novoselov和Andre Geim制备出了石墨烯薄片，并且发现了其相对论粒子特性［1］Novoselov K S, Geim A K,Morozovsz,et al.Two-dimensionalgas massless dirac fermions in graphene　［J］.Nature,2005(438):197-200 ［2］Zhang Y B,Tan Y W,Stormer H L,et al.Experimentalobservations of thequantum H-alleffect and berry’sphase in graphene［J］.Nature,2005(438):201-204　 ，这也从正面证明了一个事实：二维晶体是可以在室温下稳定存在的。之后就引发了大量的科学家对于石墨烯的研究热潮，而石墨烯也没有辜负大家的期望，随着近十年的研究，石墨烯也已充分展现出了其在理论方面和实际应用方面的无限魅力，并很快成为材料科学和物理领域最为活跃的研究热点［3］　成会明，任文才．石墨烯［Ｍ］．沈阳：中国科学院金属研究所，２００８：３３－３８． 。也正是由于大量科学家的研究也使得石墨烯的材料、能源、电子、信息和生物医药等领域有着重大的应用前景。 石墨烯制备方法的现状 目前石墨烯的制备方法大致可以分为三大类：固相类、液相类和气相类。 ２.１　固相类 ２.１.１　机械剥离法 此法是用机械力剥离石墨晶体表面，获得石墨片层，这是最早用于制备石墨烯的方法。根据剥离方法的不同，可以细分为微机剥离法、静电沉积法、转移印刷法、液相超声剥离法、溶剂热剥离法、气流冲击剥离法等。优点是操作简单，石墨烯晶体结构保持完好，但制备的石墨烯尺寸不易控制、产率低下，难以实现大规模的生产。 Manchester大学Geim领导的研究组于2004年在Science上发表论文［４］Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang,Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science, 2004,306(5696): 666 ，报道他们用机械剥离法制得宽度最大可达10μm的石墨烯片。其方法如下：用氧等离子束在高取向热解石墨表面刻蚀出槽面，将其压制在附有光抗蚀剂的基底上，剩下的Si晶片上的石墨薄片浸泡在丙酮中，并在大量的水与丙酮中用超声波清洗，去除较厚的片层，而较薄的片层主要靠分子间作用力或毛细作用力与SiO2紧密地结合，最后在原子力显微镜下挑选较薄的石墨烯片，这种方法可以得到几微米厚的片层，但是不能得到一个原子层厚的石墨烯片，产率低下，不适合大规模生产。 ２.１.２　SiC外延生长法 此法是通过超高真空、高温加热单晶SiC脱出SI,C原子重构生成石墨烯片层。将表面经过氧化或Ｈ２刻蚀后的SiC在高真空下通过电子轰击加热到１０００℃以除掉表面的氧化物，升温到1250－1450℃，恒温1－2分钟可得到厚度由温度控制的石墨烯薄片；这种方法得到的石墨烯有两种，都受SiC衬底的影响很大，一种是千篇一律基Si层上的石墨烯，由于和Si层接触，这种石墨烯的导电性受到圈套的影响，一种生长在Ｃ层上的石墨烯则有着极为优良的导电能力［5］袁小亚. 石墨烯的制备研究进展[J]. 无机材料学报,2011,06:561-570. 。 这种方法优点是可以获得大面积、高质量的石墨烯，与半导体工业、集成电路技术有很好的兼容性。但需要解决的问题是：石墨烯层数控制和大面积合成的重复性问题。 ２.２　液相类 ２.２.１　氧化还原法 此法是以石墨为原料，将石墨进行氧化处理，以便在