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4.通频带 　　电抗元件(主要是电容)使放大电路对不同频率输入信号有着不同的放大能力。即：放大倍数随信号频率的改变而改变。 f Au(f) O 频带宽度(带宽)BW Aum fL fH 下限 频率 上限 频率 中频段 低频段 高频段 BW BW = fH – fL 一般在中频段的一定范围内，放大倍数不变，用Aum表示，在低频段和高频段放大倍数都下降。 fH和fL之间的频率范围称为放大电路的通频带，用BW表示。 BW越宽，表示放大电路对信号频率变化的适应能力越强。 第二章　半导体三极管及放大电路基础 5.非线性失真 　　由于三极管等放大器件具有非线性的特性，放大电路的输出波形总有一定程度的失真，这种由放大器件特性的非线性引起的失真，通常称为非线性失真。 非线性失真越小越好。 此外，放大电路还有最大不失真输出电压Uom、最大输出功率Pom、效率η等性能指标。 第二章　半导体三极管及放大电路基础 书名：模拟电子技术及应用 第2版 ISBN： 978-7-111-45310-9 作者：曹光跃 出版社：机械工业出版社 本书配有电子课件 2.1　双极型半导体三极管 一、双极型半导体三极管的结构和工作原理 二、晶体三极管的特性曲线 三、三极管的主要参数 四、光电三极管 第二章　半导体三极管及放大电路基础 一、双极型半导体三极管的结构和工作原理 （一）双极型半导体三极管（BJT）结构 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 第二章　半导体三极管及放大电路基础 双极型半导体三极管的实物图 金属封装 小功率管 塑封 小功率管 塑封 大功率管 金属封装 大功率管 第二章　半导体三极管及放大电路基础 （二）工作原理 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 外加电源与管子的连接方式 VCC RC IC e c b VBB Rb IB UBE UCE IE VCC RC IC e c b VBB Rb IB UBE UCE IE NPN型管的连接方式 PNP型管的连接方式 第二章　半导体三极管及放大电路基础 三极管内部载流子的传输过程(以NPN型为例) 1) 在VBB提供的正偏电压作用下,发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN I CBO IB IC 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) ICN≈IC IBN≈IB 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) IB 三个电极的电流关系: IE=IC+IB 直流电流放大系数: 第二章　半导体三极管及放大电路基础 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极电路 共集电极电路 共基极电路 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 第二章　半导体三极管及放大电路基础 二、晶体三极管的特性曲线 （一）输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V VBB + ? RB 第二章　半导体三极管及放大电路基础 （二）输出特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA iB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： iB ? 0 iC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 2. 放大区： 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两