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光刻技术分析与展望 光刻在半导体集成电路制造工艺中，无论是从占用的资金、技术还是人员来看，都有举足轻重的地位。光刻工艺的发展历史就是集成电路的发展历史，光刻技术的发展现状就是集成电路的发展现状，不论是最低端的，还是今天最为先进的集成电路制造，光刻技术水平始终决定着集成电路的生产水平。 关键词：光刻 曝光 分辨率 引言： 30多年以来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的驱动下，光学光刻技术经历了接触／接近(Aligner)、等倍投影、缩小步进投影(Stepper)、步进扫描投影 (Scanner)曝光方式的变革(见图l所示)，曝光波长由436nm的h线向365nm的i线、继而到248nm的KrF0．5 m、0．35 m、0．1 m、90 nnl、65 nm、45 nnl等节点。光刻技术始终为摩尔定律的不断向前推进而孜孜不懈地努力着，目前已迈向了32 nn]节点的开发阶段。 正文： 人类社会对于“刻”、“做标记”并不陌生。作为文明的标志，远古的人们在洞穴中刻出了生命的图腾。作为现代科学的象征，今天的人们在半导体晶片上刻出电路的结构。远古的人们用的是木头，石头，今天人们更加聪明，需要刻在更加微小的尺度上，人们用的是电和光。同样是一个刻，刻在半导体上就成了电路。 光刻技术在半导体产业中的重要地位 当然实际上没有理论分析地这么简单。光