第1章半导体器件及其应用详解.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.7　直流稳压电源电路 1.7.2　常见的直流稳压电源电路 　　2.三端式集成稳压器 　　(5) 三端可调输出式集成稳压器系列 W117系列集成稳压器 1.7　直流稳压电源电路 1.7.2　常见的直流稳压电源电路 　　2.三端式集成稳压器 　　(6) 低压差三端集成稳压器 低压差三端集成稳压器MC33269 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.4　半导体三极管 1.4.4　三极管的主要参数 　　 (4) 集电极最大允许功耗 　　三极管工作于放大区时，其集电结上的电压是比较大的。当有集电极电流IC流过时，半导体管芯就会产生热量，致使集电结的温度上升。三极管在实用时，保证UECIC<PCM，这样三极管在使用时才能保证安全。 晶体管的安全工作区 1.4　半导体三极管 1.4.4　三极管的主要参数 　　4. 温度对三极管参数的影响 　　半导体材料具有热敏特性，用半导体材料做成的三极管也同样对温度敏感。温度会使三极管的参数发生变化，从而会改变三极管的工作状态。主要的影响有： 　　(1)温度对发射结电压UBE的影响 　　(2)温度对反向饱和电流ICBO的影响 　　(3)温度对电流放大系数β的影响 1.4　半导体三极管 1.4.5　特殊三极管介绍 　　1.光敏三极管 　　光敏三极管是一种相当于在基极和集电极接入光电二极管的三极管。为了对光有良好的响应，其基区面积比发射区面积大得多，以扩大光照面积。光敏三极管的管脚有三个也有两个的，在两个管脚的光敏三极管中，光窗口即为基极。 敏晶体管的结构封装、图形符号和等效电路 1.4　半导体三极管 1.4.5　特殊三极管介绍 　　2.光电耦合器 　　光电耦合器是把发光二极管和光敏三极管组装在一起而成的光—电转换器件，其主要原理是以光为媒介，实现了电—光—电的传递与转换。 几种常用光耦合器 1.5　场效应晶体管 　　半导体三极管是一种电流控制型元件，当它工作在放大状态时，必须给基极提供一定的基极电流。放大信号时，需要从信号源中吸取电流。这对于有一定内阻且信号又比较微弱的信号源来说，电压在内阻上的损耗太大，其输出电压就更小，以至于不能被放大器有效的接收到。从器件本身来看，就是其输入电阻太小。 　　上世纪六十年代，出现了另一种半导体器件，叫做场效应晶体管，简称为场效应管。它是一种电压控制型器件，它利用改变电场的强弱来控制半导体材料的导电能力。场效应管的输入电阻极高，几乎不吸取信号源电流。 　　根据结构的不同，场效应管分为结型和绝缘栅型两类，其中绝缘栅型应用更广泛。 1.5　场效应晶体管 1.5.1　绝缘栅型场效应管 　　1.绝缘栅型场效应管的基本结构和符号 　　三个电极，分别叫做源极、漏极和栅极。在P型硅薄片（作衬底）上制成两个掺杂浓度高的N区（用N+表示），用铝电极引出作为源极S和漏极D，两极之间的区域叫做沟道，漏极电流经此沟道流到源极。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，再在二氧化硅表面上引出一个电极叫做栅极G。栅极同源极、漏极均无电接触，故称作“绝缘栅极”。通常在衬底上也引出一个电极，将之与源极相连。 1.5　场效应晶体管 1.5.1　绝缘栅型场效应管 增强型绝缘栅型场效应晶体管的结构和符号 1.5　场效应晶体管 1.5.1　绝缘栅型场效应管 　　2. N沟道增强型场效应管的基本工作原理 　　现以实验电路为例来讨论场效应管的工作原理。这是一个N沟道增强型绝缘栅型场效应管，当栅极和源极之间所加的电压UGS=0时，接在漏极上的电流表显示电流为零。 增强型MOS 管电路 1.5　场效应晶体管 1.5.1　绝缘栅型场效应管 　　3. 绝缘栅型场效应管的特性曲线 　　根据实验数据，可以绘出 N 沟道增强型场效应管的各极电压和电流关系。 N 沟道增强型MOS管特性 1.5　场效应晶体管 1.5.1　绝缘栅型场效应管 　　输出特性曲线可以分三个区域： 　　(1)可变电阻区。在这个区域，当UGS一定时，ID与UDS基本是线性关系。 　　(2)饱和区。图中所示曲线近似水平的区域叫做饱和区，在此区内，UDS增加，ID基本不变（对应于同一个UGS值），管子的工作状态相当于一个恒流源，所以此区又叫做恒流区。 　　(3)击穿区。特性曲线快速上翘的部分叫做击穿区，在这个区域，UDS增大到一定值后，漏极和源极之间会发生击穿，漏极电流ID急剧增大。 1.5　场效应晶体管