Chapter7金属固态相变解说.pptVIP

一、均匀形核 与液态金属结晶相比，固态相变的阻力增加了一项应变能。接经典形核理论，系统自由能总变化为： 式中 ΔG--- 系统自由能总变化； ΔGv--- 体积自由能变化； ΔGσ--- 界面能； ΔGE--- 应变能。 驱动力和阻力各是什么，各项的正负号? 二、非均匀成核 金属固态相变多为非均匀成核，各种晶体缺陷均可作为成核位置，缺陷储存的能量可使成核功降低，因而比均匀成核要容易得多。核胚在晶体缺陷处形成时，系统的自由能变化为： -ΔGd是非均匀形核时由于晶体缺陷消失而释放的能量。因此，将导致临界形核功降低，从而促进形核过程。 （一）空位 加速扩散过程（较大），释放自身能量（较小）。 空位群崩塌成位错而促进形核。 （二）位错 (1) 形核处位错线消失时所释放出来的能量作相变驱动力，以降低形核功。 (2)新相形核时位错并不消失，而依附于新相界面上构成半共格界面上的位错部分，以补偿错配，降低应变能，使形核功降低。 (3)溶质原子在位错线上偏聚，使溶质含量增高，便于满足新相形成时所需的成分条件，使新相晶核易于形成。 (4)位错线可作为扩散的短路通道，降低扩散激活能，从而加速形核过程。 (5)位错可分解形成由两个部分位错与其间的层错组成的扩展位错，使其层错部分作为新相的晶胚而有利于形核。（例：fcc中的层错有利于hcp相的形核） （三）晶界 晶界形核时可使界面能释放出来作为相变驱动力，以降低形核功；而且晶界也是扩散的快速通道。 晶界形核时，新相与母相的某一个晶粒有可能形成共格或半共格界面，以降低界面能，减少形核功。这时共格的一侧往往呈平直界面，新相与母相间具有一定的取向关系。 由于大角晶界两侧的晶粒通常没有对称关系，故晶核一般不可能同时与两侧晶粒共格，而是一侧共格，一侧非共格，为了降低界面能，非共格一侧往往呈球冠形。 相界作用与晶界类似。 §4 固态相变时的晶核长大 一、新相长大机理 形核之后，便开始晶核的长大过程。新相晶核的长大，实质上是界面向母相方向的迁移，依固态相变类型和晶核界面结构的不同，其晶核长大机理也不同。 有些固态相变，如共析转变、脱溶转变、贝氏体转变等，由于其新、母相的成分不同，新相晶核的长大必须依赖于溶质原子在母相中作长程扩散，使相界面附近的成分符合新相的要求。 有些固态相变，如同素异构转变，块状转变和马氏体转变等，其新、母相的成分相同，只需界面附近的原子作短程扩散，甚至完全不需扩散即可使新相晶核长大。 1、半共格界面的迁移 因为半共格界面具有较低的界面能，故长大过程中往往继续保持为平面。晶核长大时，界面作法向迁移，半共格界面上的界面位错亦随之移动。 a)为平界面，若刃型位错的柏氏矢量b沿界面方向，则其不能通过滑移而必须借位错攀移才能跟随界面移动。但是平界面位错攀移困难，故其牵制界面迁移，阻碍晶核长大。 b)为阶梯界面，面间位错分布在阶梯状界面上，其位错的滑移运动使阶梯跨过界面侧向迁移，而使界面沿其法线方向发展，从而使新相长大。 2、非共格界面的迁移 非共格界面原子排列混乱，为不规则排列的过渡薄层。 1)界面很容易接受原子和输出原子，随母相原子不断地向新相中转移，界面本身作法向迁移，新相连续长大。 2)共格或半共格界面上存在非共格的台阶，其长大是以台阶侧向移动的方式进行的，台阶的侧向移动引起晶面在垂直方向上推移，使新相长大。 3、散型相变与无散型相变 1)扩散型相变：大多数固态相变是依靠扩散来进行的 特点： ①相变过程中有原子扩散运动，扩散速度影响转变速率； ②在合金的相变中，新相和母相的成往往不同； ③只有因新相和母相比容不同引起的体积变化，没有形状改变。 2)无扩散型相变：相变是通过切变完成。其晶核长大是通过半共格晶面上母相一侧原子的切变来完成的。 特点： ①相变不需要通过扩散，新相和母相的化学成分相同。 ②新相和母相之间存在一定的晶体学位相关系。 ③存在由于均匀切变引起的形状改变。表面浮凸效应。 ④相界面移动速度极快，可接近声速。 二、新相长大速度 新相长大速度决定于界面迁移速度。 对于无扩散型相变，由于界面迁移是通过点阵切变完成的，不需原子扩散，其长大属于界面控制过程。 对于扩散型相变来说，界面迁移需借助于原子的短程或长程扩散，新相的长大速度既可能是扩散控制，也可能是界面控制过程。 无成分变化的扩散型相变 原子越过界面的速度决定长大速度。 有成分变化的扩散型相变： 原子从基体扩散到界面和原子越过界面的速度共同决定长大速度，较慢的过程为控制因素。 三、长大速度与过冷度的关系 扩散型