微机原理第分析.pptVIP

工艺 MOS英文为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物， 它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片． MOS内部的结构和二极管、三极管差不多， 由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negative). 由于正负离子的作用，在MOS内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然． MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS. 工艺 CHMOS(互补金属氧化物HMOS)是CMOS和HMOS(高密度沟道MOS工艺)的结合, 除保持HMOS高速度和高密度之外,还有CMOS低功耗的特点.两类器件功能完全兼容,区别CHMOS器件具有低功耗的特点.它所消耗的电流比HMOS器件少很多,主要在于其采用了两种降低功耗的方式:空闲方式和掉电方式.CHMOS器件在掉电方式(CPU停止工作,片内RAM的数据继续保持)下时,消耗的电流可低于10μA.采用CHMOS的器件在编号中用一个C来加以区别:如80C51,80C31等. MOS分NMOS和PMOS, 而CMOS指互补的MOS管的电路，就是PMOS,NMOS组成, NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然Bipolar的驱动能力比CMOS强目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点 ?半导体基本组成分为N型半导体和P型半导体两类， 它们的原理同样依靠栅极电压控制源漏导通或者闭合状态，开关表示0、1代码。 而芯片中的基本组成部分也同样符合最基本两型晶体管器件分类， 对应为NMOS晶体管和PMOS晶体管，现代的芯片中NMOS和PMOS是共存的，CMOS就是实现两种基本构件共存的一种制程技术，微处理器CPU、芯片组或者GPU都是用CMOS实现的 光刻工艺 在集成电路制造工艺中，是其中一项重要工艺。 光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。 就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。 光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等等。 光刻的曝光方法也有多种，如接触式、投影式、电子束、电子束投影、Ｘ射线等曝光方法。 光刻工艺 这些工艺都是在极微观的范围内进行的，要求操作环境和仪器设备的条件都很高，全部都在超净车间中进行。 光刻图形的质量可直接影响集成电路可靠性和成品率。 光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。 自60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。 随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是１微米线，即光刻的分辨线宽为１微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射Ｘ射线进行投影式光刻，制成了线宽为０.１微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。 光刻工艺 1992年10月，美国政府与三家企业联合开发出用于集成电路制造的Ｘ光投影平版印刷技术。与可见光和紫外线相比，Ｘ光有着更短的波长，因而可以投影更细小的图案。 1995年制成样机，可把已达到０.５微米相当于头发丝的１／２００的电路线宽减小为０.０５微米，并相应增加电路集成度。Ｘ光投影平版印刷术投入使用之后，计算机集成电路的运算速度将快１０倍，储存信息的容量将高出１０００倍。 多媒体指令集 CPU依靠指令来计算和控制系统，每款CPU在设计时就规定了一系列与其硬件电路相配合的指令系统。指令的强弱也是CPU的重要指标，指令集是提高微处理器效率的最有效工具之一。从现阶段的主流体系结构讲，指令集可分为复杂指令集和精简指令集两部分，而从具体运用看，如Intel的MMX（Multi Media Extended）、SSE、 SSE2（Streaming-Single instruction multiple data-Extensions 2）和AMD的3DNow!等都是CPU的扩展指令集，分别增强了CPU的多媒体、图形图象和Internet等的处理能力。我们通常会把CPU的扩展指令集称为CPU的指令集。 1、精简指令集的运用 在最初发明计算机的数十年里，随着计算机功能日