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中期复习课 半导体器件 基本放大电路 基本放大电路 放大电路中的反馈 互补功率放大电路 习题讲解及举例 P127 4.11 Ucc=16V，RL=4Ω，|U（CES）|=2V，ui足够大。 P106 3-12 3-13· 3-14 电流串联负反馈 P86 2-14 2-15 2-21 4-15 饱和压降忽略 （1）OTL or OCL OCL （2）理想情况下最大输出功率Pom 例：OTL电路如图 （1）为了使得最大不失真输出电压幅值最大，静态时T2和T4管的发射极电位应为多少？若不合适，则一般应调节哪个元件参数？ （2）若T2和T4管的饱和管压降│UCES│＝3V，输入电压足够大，则电路的最大输出功率Pom和效率η各为多少？ （3）T2和T4管的ICM、U（BR）CEO和PCM应如何选择？ 解：（1）射极电位UE＝VCC /2＝12V；若不合适，则应调节R2。 （2）最大输出功率和效率分别为 （3）T2和T4管ICM、U（BR）CEO和PCM的选择原则分别为 vs Rs 解：Rf1一三级间交直流反馈，交流反馈为电流串联负反馈；直流反馈的意义是稳定工作点，交流反馈可以提高输入电阻，稳定输出电流。 Rf2一四级间直流反馈，作用是为输入级T1提供偏置，稳定各级工作点，交流电压并联负反馈，降低输出电阻，稳定输出电压，降低输入电阻。 （2）Rf1提高输入电阻，Rf2降低输入电阻 （3）若Rf2断开T1将缺少直流偏置，可以在R‘e4两端并联一大电容。 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 — 自由电子 空穴 — 价电子 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) IS 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： (0.2 ? 0.4) V 0.3 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on) 4. 二极管的分析方法 图解法 微变等效电路法 5. 特殊二极管 工作条件 主要用途 稳压二极管 反 偏 稳 压 发光二极管 正 偏 发 光 光敏二极管 反 偏 光电转换 三、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEO IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： 0.6 ? 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 ? 0.4 V 取 0.3 V (锗管) 饱 和 区 截止区 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 放大区 饱 和 区 截止区 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 5. 参数 特性参数 电流放大倍数 ? ? ? = ? /(1 ? ? ) ? = ? /(1 + ? ) 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参