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顶部 抗反射涂层 临近效应 （4）曝光后烘烤 曝光后的wafer需要进行短时间的烘烤（PEB），其 目的是提高光刻胶的粘附性和减少驻波。烘烤的温度均匀性 和时间是影响光刻胶的重要因素。 烘烤有两个作用，一是减少了光刻胶中溶剂的含量，从 曝光前的7%～4%减少到5%～2%。其最大的好处是减 少了驻波的影响，由于高温导致感光剂在光刻胶中扩散，使 得曝光区与非曝光区的边界变得比较均匀。 5.显影 显影就是用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜版上 的图形转移到光刻胶上。常见的显影问题有显影不足、不完 全显影 以及过 显影三 种。 （1）显影方法 显影主要有连续喷雾式显影和旋涂浸没式显影两种方 法。连续喷雾式显影类似光刻胶的喷涂法，其优点是无污 染，但均匀度较差，而且显影液的用量比较大。近年来，已 逐渐被旋涂浸没式显影法所代替。旋涂与喷雾式使用的基本 设备相同。不同的是喷涂到wafer上的显影液会停留足够的 时间。旋涂浸没式显影使用很少的显影液，而且由于每片 wafer都使用新的显影液，所以，wafer间的均匀性很高。 喷 雾 式 显 影 （2）工艺参数 在显影工艺中，下列几 个关键工艺参数必须严加控 制：显影温度、显影时间、 显影液剂量、清洗、排风、 Wafer吸盘稳定性。 6.坚膜 坚膜就是对显影后的基片进行烘烤，坚膜的目的是使 残留的光刻胶溶剂全部挥发，提高光刻胶与wafer表面的 粘附性以及光刻胶的抗腐蚀能力。使光刻胶能确实起到保 护图形的作用，坚膜同时也除去了剩余的显影液和水。 坚膜的温度由光刻胶的生产商提供，操作时根据对粘 附性和尺寸控制的要求进行相应调整。坚膜时间可以由几 分钟到十几分钟不等，温度的时间都要合适。 7. 刻蚀 为了获得真正的集成电路结构，必须将光刻胶上的图形 转移到光刻胶下层的材料上，刻蚀就是来完成这一任务的。 刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护 的部分除去。光刻胶的下层薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及各种金属材料中的一种，材料不同，刻蚀要求不同；图形不同，也有不同的刻蚀要求。但刻蚀的正确性始终非常重要，否则芯片无法工作。 8.去胶 光刻胶在光刻过程中作为从掩膜版到wafer的图形转移 媒介以及刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。刻蚀完成后，光刻 胶已经不再有用，需要彻底除掉，这一工序就是去胶，常用 的去胶方法有溶剂去胶、氧化去胶以及等离子去胶三种。 左边为负胶，右边为正胶 刻蚀 1.刻蚀性能 为了保证图形转移的准确性，刻蚀必须满足一些性能方 面的要求： （1）刻蚀速率，刻蚀速率是指刻蚀过程中对待刻材料的腐 蚀速率，单位为?/min，刻蚀速率越高越好。刻蚀速率与 待刻材料、刻蚀图形、刻蚀机、 刻蚀剂以及刻蚀温度等有关。 刻蚀速率为刻蚀厚度与刻蚀时 间的比值。 （2）刻蚀剖面，刻 蚀剖面是指刻蚀图形 的侧墙形状。各向同 性刻蚀会发生钻蚀， 这对分辨率有很大的 影响，湿法刻蚀是各向同性刻蚀。各向异性刻蚀只在垂直与 基片表面的方向进行，可得到非常垂直的侧墙，高技术的集 成电路需要接近90度的垂直侧墙，所以大多采用干法等离 子体实现各向异性刻蚀。 （3）刻蚀偏差，刻蚀偏差就是刻蚀后线宽与关键尺寸间距 的变化，Wb是刻蚀前光刻胶的线宽，Wa是去胶后被刻材料 的线宽，刻蚀偏差即为二者之差。 （4）选择比，选择比是两种不同材料的刻蚀速率比值，选 择比要高，即刻蚀时待刻材料的刻蚀速率远远大于不需刻蚀 材料的刻蚀速率。 （5）刻蚀因子，刻蚀因子是刻蚀的深度和横向刻蚀量的比 值。刻蚀因子越大，刻蚀的各向异性越好。 （6）均匀性，要将较厚的薄膜刻蚀干净需要较长的时间， 这样就会使较薄处的薄膜刻蚀过渡；反之，则无法将较厚的 薄膜刻蚀干净。为了获得完美的图形，要严格控制刻蚀的均匀性。 2.湿法刻蚀 湿法刻蚀主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应 将待刻膜层溶解达到刻蚀的目的。湿法刻蚀的反应产物必须 是气体或可溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物的沉淀， 影响刻蚀的正常进行。 刻蚀分三步进行：刻蚀剂扩散至待刻材料的表面；刻蚀 剂与待刻材料反应；反应产物离开刻蚀表面扩散至溶液当 中，随溶液被排出。 （1）硅的湿法刻蚀 单晶硅与多晶硅的刻蚀都是通过与硝酸和氢氟酸的混合 溶剂反应来完成的。反应如下： （2）氮化硅的湿法刻蚀 氮化硅化学性质比较稳定，通常利用180℃下浓度为 85%的磷酸来进行氮化硅的刻蚀。湿法刻蚀大多用于整层 氮化硅的去除，对于小面积刻蚀，通常选择干法刻蚀。 （3）二氧化硅的湿法刻蚀