MOCVD技术报告.pptVIP

MOCVD简介  主讲：张娟 MOCVD的定义 气相外延生长（VPE)技术 MOCVD的原理 MOCVD系统概况 MOCVD的国内外发展 MOCVD的定义 MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文缩写。?? MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 气相外延生长（VPE)技术 晶体气相生长技术technique of growing crys-tals from vapor一phase通过气相输运生长晶体材料的方法。 主要用于薄膜制备，或在其他技术制备的晶体上生长薄膜，即进行气相外延生长。晶体气相生长技术也可用于制备块状晶体，但由于其生长速度很缓慢，故只在某些特殊的情况下用于大单晶生长。 特点与其他晶体生长技术相比，气相生长能满足大尺寸薄膜制备的要求;能用来对形状不规则的衬底进行镀膜;没有生长界面与液相或固相的接触;在衬底上进行外延生长，可最大程度地控制薄膜的厚度、组成、化学计量和掺杂，从而能对材料的性能进行控制。此外，它可用于沉积多晶氧化物和金属薄膜，以提高制品的机械和结构性能、防腐蚀和耐摩擦能力。 气相生长已成为制备薄层金属、绝缘器和半导体材料最常用的一种方法。 气相生长技术分为物理气相