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- 2016-06-14 发布于湖北
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图例 虚拟器件(dummy Element) 虚拟器件(dummy Element) 共质心版图 虚拟器件(dummy Element) 上机安排 时间: 第10周周四(5月7日)晚上7:00~10:00 第11周周四(5月14日)晚上7:00~10:00 地点: 科B451、453 1、写出如图题3-1所示的CMOS电路对应的逻辑函数。 2.写出如图题3-2所示CMOS电路的逻辑表达式。 * 1.描述特性的两个量 电流漏和电流源特性 rout -输出电阻,衡量电流源/漏的“水平度” (不依靠电压) VMIN-最小电压,漏源间电压必须大于VMIN电流源/漏正常工作。 2.电流漏 电流漏和电流源特性 3.电流源 期望 rout↑,VMIN↓ * 例: KN’=110uA/V2, VT=0.7V, λ=0.04V-1 and VDD=5V ID?100?A rds=250k? 确保NMOS工作于饱和区, vout VGS1-VT 由上图可知,简单电流漏/源的输出电流受Vout影响,输出电压VOUT变化范围较小。 电流漏和电流源 Vmin is too large – desire Vmin to approach zero, at least approach VCE(sat) Slope too high -- desire th
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