以3d過渡金屬摻雜氧化物之稀磁性半導體研究.docVIP

以3d過渡金屬摻雜氧化物之稀磁性半導體研究 文/許華書、黃榮俊 前言 由於近來的物理學在自旋相依現象的發展及其許多極具潛力的應用性，全世界自旋電子學的相關研究正如火如荼的展開中。在相關自旋電子學與電子自旋的元件研究系統中，鐵磁性半導體（ferromagnetic semiconductor）被認為是下一世代利用電子的自旋自由度所製程微電子元件的主要材料。其中最受矚目的為稀磁性半導體（diluted magnetic semiconductor），其作法是將過渡金屬引入材料的晶格中，使其產生自發的磁矩。過去磁性半導體的研究主要是集中在Ⅲ-Ⅴ-Mn如(Ga,Mn)As[1~3]及(In,Mn)As[4~6]系統。其樣品主要是以分子束磊晶成長出單晶薄膜，利用摻雜Mn原子本身內層3d5軌域不全填滿，造成Ⅲ-Ⅴ-Mn具有磁性。電子或電洞受錳原子3d5軌域的影響會有特殊的磁光現象。並使利用控制其鐵磁性質而改變材料的電及光[7]的特性得以實現。然而，Ⅲ-Ⅴ-Mn其最高的居禮溫度（Tc）只有110K，離電子元件實用化的溫度（室溫以上）仍有一大段距離。因此，目前磁性半導體研究中最關鍵的技術在於如何將居禮溫度提高至室溫以上。 根據Dietl [8]等人之理論預測，將Mn摻入ZnO、GaN等半導體中，將可能成功的製作出室溫以上的磁性半導體（見圖一）。其中在ZnO方面，此材料在最近的研究發展，不論是背景導電率(background conductivity)的控制或者是p-type 摻雜(doping)都有很大的突破，也因此被期待應用於紫外光發光源(UV light emitters)，透明高功率電子元件(transparent high-power electronics)，表面聲波元件(surface acoustic wave devices)，和自旋功能性元件(spin functional devices)。而ZnO比較起GaN，有許多更具應用潛力的優勢，此氧化物可以很低的溫度成長較便宜的基板上（如玻璃），所以成本較低。並且具有較高的激子束縛能(exciton binding energy, ZnO~60meV，GaN~25meV)。因此，以ZnO在稀磁性半導體的研究，引起了相當廣泛的重視與興趣。本文內容著重在以ZnO為主的氧化物半導體系列，介紹其在稀磁性半導體研究，包括目前相關研究團隊的進展，以及本實驗室目前在此方面的一些較重要研究結果。 自從Dietl於2000年由Zener exchange (Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida-like)的理論預測[9]，Mn 摻雜之p-type ZnO可以形成居禮溫度高於室溫的稀磁性半導體後，各研究團隊在氧化物稀磁性半導體的研究上更是如火如荼的展開。Dietl等人提出的近場模型（near-field model）認為鐵磁性是由p-type材料內非局域或弱局域的電洞所貢獻。磁性的Mn離子提供局域（localized）的自旋，並在大部分的Ⅲ-Ⅴ族半導體中扮演受體。因此，也可以提供電洞。此假設Mn摻入Ⅲ-Ⅴ族半導體是電荷轉移絕緣體，並不提供d殼層的電子參與電荷傳輸。並假設自旋之間的耦合為長程的作用，因此可以適用於平均場近似（mean-field approximation）。Dietl並考慮了半導體內跟自旋軌道耦合相關之摻入載子交互作用的異向性。利用此模型，不同材料、Mn的含量及電洞密度下的居禮溫度（Tc），便可經由鐵磁與反鐵磁競爭作用下被預測出來。他更以此推算相關p-type的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半導體中， Tc 跟摻入的Mn離子濃度與電洞濃度呈現正比的關係。進而預測出GaN、ZnO等稀磁性半導體其Tc可能高於室溫。而如前言所述，在居禮溫度高於室溫的系統中，由於ZnO有前述許多的優點，因此，ZnO系統的研究更是重要且具應用潛力的。 ZnO是具有直接能隙的半導體（Eg=3.35eV），其室溫下的霍爾移動率(Hall mobility)約為200 cm2V-1s-1。結構是屬於六方晶系(wurzite)，其a軸長3.25?，c軸長5.12 ?。電子的摻雜是藉由ZnO晶格中的Zn空隙形成的缺陷完成。由n-type 摻雜造成的本質缺陷層約在其導帶下方0.05eV處。經由Ⅲ族的取代（如Al、Ga、In），高載子（電子）密度的n-type 摻雜是很容易被達成的。相較之下，p-type 摻雜已經被證實是相當難達到的。一般多以氮(N)進行p-type摻雜的研究，然而其製成的p-type薄膜其電洞的濃度是非常低的[10]，而且被認為以氮取代的行為並不足以產生p-type的行為[11]。然而，在以稀磁性氧化物半導體的理論預測中，除了Dietl之外，建構在局域密度近似(local density a