镓铝砷半导体材料与器件解读.ppt

1896 1920 1987 2006 镓铝砷半导体材料与器件 材料概述 材料特性 材料制备 材料应用 1、GaAlAs双异质结激光器 2、太阳能电池 3、GaAlAs高亮度红色发光二极管 4、GaAs-GaAlAs光开关 三、 GaAlAs高亮度红色发光二极管 1、什么是发光二极管？ 发光二极管，简称LED，是一种能发光的半导体电子元，发 光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单 向导电性。 当给发光二极管加上正向电压后，空穴从P区注入到N区，电 子由N区注入到P区，在PN结附近数微米内电子和空穴复合 ，产生自发辐射的荧光。 因为不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。 导致电子和空穴复合时释放出的能量大小也不同，因此发光 二极管可以实现各种可见光，红外线及紫外线的发射。 2、发光二极管的分类 普通单色发光二极管 高亮度发光二极管 超高亮度发光二极管 变色发光二极管 闪烁发光二极管 电压控制型发光二极管 红外发光二极管 负阻发光二极管 GaAlAs材料： 高亮度红色发光二极管 红外发光二极管 GaAlAs高亮度红色发光二极管 3、高亮度红色发光二极管的特点 普通亮度红色发光二极管采用的材料主要是GaP( 或GaAsP) 。这是一种间接跃迁材料, 电子与空穴复合时必须要声子参与，因此发光效率不高。 高亮度红色发光二极管必须采用直接跃迁材料,，如GaAlAs，当Ga1-xAlxAs中Al的组分x≥0.4时，能带结构由直接跃迁型转变成间接跃迁型。 因此GaAlAs发光效率高, 而且不同组份的GaAlAs 材料的晶格常数很接近,易于加工。 GaAlAs高亮度红色发光二极管 4、构造及工作原理 发光二极管通常用双异质结作为管芯结构 上电极(AuGeNi) 下限制层 上限制层 下电极(AgZn) 发光层（有源层） p-GaAs 衬底 n-Ga0.35Al0.65As p-Ga0.35Al0.65As p-Ga0.65Al0.35As 1 ～ 2μm GaAlAs双异质结发光效率高的原因： 下限制层 发光层 上限制层 N Ga0.35Al0.65As P Ga0.35Al0.65As P Ga0.65Al0.35As 由于限制层的带隙比发光层宽，施加正向偏压后， P层的空穴和N层的电子注入发光层。 - + P N 下限制层 发光层 上限制层 N Ga0.35Al0.65As P Ga0.35Al0.65As P Ga0.65Al0.35As - + P层带隙宽，导带的能态比发光层高，对注入电子形成了势垒，注入到发光层的电子不可能扩散到P层。 P N 同理， 注入到发光层的空穴也不可能扩散到N层。这样，注入到发光层的电子和空穴被限制在厚1~2μm的发光层内，因此发光效率很高。 四、光开关 光开关(Optical switches)是一种是对光传输线路或集成光路中的光信号进行相互转换或逻辑操作的光学器件。简言之，就是一种具有切换光路作用的功能器件。 1、什么是光开关？ 光开关在光通信中的作用有三类： 其一是将某一光纤通道的光信号切断或开通；(1×1) 其二是将某波长光信号由一光纤通道转换到另一光纤通道去；(1×2， 2×2等) 其三是在同一光纤通道中将一种波长的光信号转换为另一波长的光信号。（ 1×N， N×N等 ） 通常用于网络的故障恢复。当光纤断裂或其他传输故障发生时，利用光开关实现信号迂回路由，从主路由切换到备用路由上 1×2光开关，用来完成光信号从其中一个光通道交换至另一个光通道上，实现光信号的空间交换。 1×N多通道光开关 主要用于光交换设备及系统中实现全光层次的路由选择、波长选择及自愈保护等功能 2、光开关的分类 微机电光开光 电光开关 热光开关 夜景光开关 磁光效应光开关 声光开关 电光开关材料： 铁电体(LiNbO3) 化合物半导体(GaAlAs) 有机聚合物 以LiNbO3材料作为衬底的光波导型电光开关始于上世纪七十年代中期，经过几十年的发展，其制作工艺，分析测试方法等已趋于成熟。 LiNbO3材料具有较大的电光系数，高的Curie温度，模斑尺寸大易与标准单模光纤连接耦台。在近红外区具有高的光透明度，一度成为制作OS/M的首选材料。 3：电光开关器件材料的选择 由于LiNbO3材料无法制作有源器件，如激光器，光探测器等，因此无法实现各种光子器件的单片集成。并且LiNbO3材料容易受到光损伤的影响，对光的偏振态也非常敏感，这都大大影响了器件性能。 以Ill-V族半导体材料特别是GaAs/GaAlAs制