模电第一晶体二极管及其基本电路Yl.ppt

模拟电子技术 主要参考书 江晓安 模拟电子技术 西安电子科技大学出版社 童诗白、华成英，《模拟电子技术基础》，（第四版），高等教育出版社 清华大学 康华光， 《电子技术基础(模拟部分) 》 ，第四版，高等教育出版社 华中科技大学 半导体中的载流子——自由电子和空穴 在绝对零度(-273℃)时，所有价电子都被束缚在共价键内，晶体中没有自由电子，所以半导体不能导电。当温度升高时，键内电子因热激发而获得能量。其中获得能量较大的一部分价电子，能够挣脱共价键的束缚离开原子而成为自由电子。与此同时在共价键内留下了与自由电子数目相同的空位， 称为本征激发。 4 二极管基本电路及其分析方法 4.1二极管正向V-?特性的建模 1.理想模型 在正向偏置时，其管压降 为 0V; 而在反向偏置时，认 为电阻无穷大。 2.恒压降模型 二极管导通后,其管 压降认为是恒定的,且不 随电流而变化,典型值是 0.7V。不过，这只有当 二极管的电流iD近似等于 或大于1mA时才是正确的。 3.折线模型 二极管的管压降不 是恒定的，而是随着通 过二极管电流的增加而 增加。Vth约为0.5V, 其中，Vth和rD的值不是 固定不变的。(见例题) 2.4.2 模型分析法 1.限幅电路 在电子技