第4章热氧化要点.pptVIP

1 3、氧化温度的影响 结论 4、硅表面晶向的影响 线性速率系数 B/A 与硅原子晶向有关，即 抛物线速率系数 B 与硅晶向无关。 5、杂质的影响 (1) 氧化层中高浓度的 Na+ 将增大 B 和 B/A ； (2) 氧化剂中若含 Cl2、HCl、DCE、TCE、TCA 等，将有利于改善 SiO2 质量和 SiO2 /Si 界面性质，并会增大 B 和 B/A； (3) 重掺杂硅比轻掺杂氧化快。硅中硼浓度增大，B 增大，B/A 的变化不大；硅中磷浓度增大，B/A 增大，B 的变化不大。 4.3 初始阶段的氧化 实验发现，在氧化膜厚度 tox 30 nm 的氧化初始阶段，氧化速率比由迪尔-格罗夫模型预测的快了 4 倍多。 可以通过对τ 值进行校正来提高模型的精度，但是这会使在氧化膜极薄时预测的氧化膜厚度比实际的偏厚。 解释氧化初始阶段氧化速率增强机理的模型主要有三种： 模型 1，氧化剂扩散穿过 SiO2 层的速率加快； 模型 2，氧化剂在 SiO2 层中的溶解度增加； 模型 3，氧化反应在 SiO2 层的一定厚度内