半导体材料物理 Chapter5 额外载流子.pptxVIP

Chapterⅴ：非平衡载流子;;非平衡载流子： 对半导体施加外界作用，可使其处于非平衡状态，此时比平衡态多出来的载流子称为非平衡载流子，也称为过剩载流子。 n型半导体，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子： n p 对于P型材料则相反。;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;小注入：如果非平衡少数载流子的浓度远小于平衡多数载流子的 浓度，则称为小注入。 小注入判据： n型半导体Δp n0； p型半导体Δn p0 例如：在室温下， N型硅，ρ=1Ω?cm n0=5.5×1015cm-3；p0= 3.1×104cm-3 注入非平衡载流子Δn=Δp=1010cm-3 则Δp n0；但Δp p0 由此说明，即使在小注入情况下，虽然多子浓度变化很小，可以 忽略。但非平衡少子浓度还是比平衡少子浓度大很多，因而它的 影响是十分重要。非平衡少子起着主要作用。;电导调制效应：注入的非平衡载流子可以引起半导体的电导率由平衡值σ0增加为σ0+Δσ，附加电导率Δσ可表示为：;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种驰豫过程此过程。载流子的复合率S大于产生率G ，有净复合。 载流子的产生率G：把单位时间单位体积内产生的载流子数称为载流子的产生率 载流子数的复合率S：单位时间单位体积内复合的载流子数称为载流子的复合率。;§5.1 非平衡载流子的注入与复合——小结;§5.2 非平衡载流子的寿命;§5.2 非平衡载流子的寿命;§5.2 非平衡载流子的寿命;§5.2 非平衡载流子的寿命;§5.2 非平衡载流子的寿命;各种测量方法都包含非平衡载流子的注入和检测两方面内容。 常用方法：直流光电导衰退法；高频光电导衰退法；扩散长度法；光磁电法等 寿命是标志半导体材料质量的主要参数之一，依据半导体材料的种类、纯度和结构完整性的不同,它可以在10-2～10-9s的范围内变化。 ;§5.2 非平衡载流子的寿命;§5.3 准费米能级;§5.3 准费米能级; 有非平衡载流子存在时，设电子和空穴的准费米能级分别为EFn和EFp，则电子和空穴占据能级E的几率fn和fp可以写为：;二、半导体偏离平衡态的程度;与n0p0=ni2比较，可以看出EFn和EFp之间距离的大小，直接反 映了半导体偏离平衡态的程度： ①两者的距离越大，偏离平衡态越显著； ②两者的距离越小，就越接近平衡态； ③当两者重合时，有统一的费米能级，半导体处于平衡态。;由上可知，在有非平衡载流子存在时,由于nn0和pp0，所以，无论是EFn还是EFp都偏离EF ，EFn偏向导带底Ec ；而EFp则偏向价带顶Ev 。但是，EFn和EFp偏离EF的程度是不同的。 ;非平衡载流子没有统一的费米能级，统一费米能级是半导体系统处于热平衡的标志。 用准费米能级定义非平衡载流子的电子系统和空穴系统各自的费米能级。 |EFn-EFp |的大小，反映了半导体偏离平衡态的程度，越大偏离平衡态越严重。 多子的准费米能级靠EF近，少子则反之。;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;1、在小注入条件下，当温度和掺杂一定时，寿命是一个常数。寿命与多数载流子密度成反比，或者说，半导体电导率越高，直接辐射复合寿命就越短。;§5.4 复合理论;5.4.4 间接复合;5.4.4 间接复合;只有已经被电子占据的复合中心才能从价带俘获空穴，所以每个空穴被俘获的几率与nt成正比。于是，空穴的俘获率Rp可写成;在热平衡情况下，空穴的产生率和俘获率相等，即;5.4.4 间接复合;5.4.4 间接复合;引入;5.4.4 间接复合;5.4.4 间接复合;5.4.5 表面复合;5.4.5 俄歇复合;;当半导体处于热平衡态，施主、受主、复合中心或其他杂质能级上，都具有一定数目的电子，且能级上的电子通过载流子的俘获和产生保持平衡。