半导体中载流子的统计分布.pptVIP

4.少数载流子浓度（饱和区） n型半导体 p型半导体 少子浓度与 成正比，与多子浓度成反比 随 T 增加，少子浓度增加 饱和区不变 §3.5 一般情况下（即杂质补偿情况） 的载流子统计分布 电中性条件： 如果半导体中存在若干种施主杂质和受主杂质，则电中性条件为 上式中的变数仅有 EF 和 T ，由此可求出 EF 考虑n型半导体即 ND NA 时 （1）温度很低时 p0 = 0 pA = 0 电中性条件为 ND = n0 + NA + nD 极低温时， 很小，而NA很大， 《 NA则得 低温下 NA ND 当ND 2NC时 EF位于ED与EC之间的中线以下 当ND 2NC时 EF位于ED与EC之间的中线以上 （2）温度升高 施主电离增加 ，如果ND NA，此时，受主杂 质已不产生显著作用，情况与单一掺杂相同 （3）当温度升高到使EF降到ED之下，且满足 ED-EF 》k0T时施主杂质全部电离，则电中性条件为 （4） ND - NA 与ni相近 ,则电中性条件为 n0+ NA = p0 + ND 与 联立求解可得 §3.6 简并（重掺杂）半导体 n型半导体处于饱和区时，其费米能级 一般情况下，NDNC或（ND-NA） NC 故费米能级在导带底EC之下处于禁带中 但当NDNC或（ND-NA） NC时，EF将与EC重合或在EC之上即费米能级进入了导带 对n型半导体，如果费米能级进入导带则说明 （1）杂质掺杂水平很高（ND很大） （2）导带底附近的量子态基本上已被电子占据 此时，导带中的电子浓度已很大，f(E) 1的条件已不能满足，波尔兹曼分布已不适用，必须用费米分布，这种情况称为载流子的简并化，这种半导体称为简并半导体 2、简并化条件： (1) EC – EF 2k0T 非简并 (2) 0 EC – EF 2k0T 弱简并 (3) EC - EF ≤ 0 简 并 简并时杂质并没有充分电离 1.简并时 ND NC 2.杂质电离能越小，则杂质浓度较小时就会发生兼并 3.简并时 T 有一范围，ND 越大温度范围越宽 容易得到本征半导体费米能级 上式中第二项小得多，故 Ef Ei 在禁带中线处 一般温度下，Si、Ge、GaAs等本征半导体的EF近似在禁带中央Ei，只有温度较高时，EF才会偏离Ei。 磷化铟是个例外 由（5）式可以看到： 1、对不同材料，温度一定时，Eg大的材料，ni小； 2、对同种材料， ni随温度T增加按指数关系 上升。 一般半导体器件，载流子主要来源于杂质电离， 而将本征激发忽略不计。当温度足够高时，本征激发占主要地位，器件将不能正常工作，因此，每种器件都有一定的极限工作温度。 实验方法： §3.4 杂质半导体的载流子浓度 一、杂质能级上的电子和空穴 杂质能级 ： 最多只能容纳一个某自旋方向的电子。 杂质能级 最多只能容纳一个某自旋方向的电子。 电子占据施主能级ED的几率 空穴占据受主能级EA的几率 施主浓度:ND 受主浓度: NA：（1）杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA ： （2）电离杂质的浓度nd+和pA- 杂质能级与费米能级的相对位置反映了电子和空穴占据杂质能级的情况 EF远在ED之下时，施主杂质几乎全部电离 EF远在ED之上时，施主杂质基本没有电离 当ED 与EF重合时，施主杂质有1/3电离，2/3没电离 同理 EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离 EF远在EA之下时，受主杂质基本没有电离 当EA 与EF重合时，受主杂质有1/3电离，2/3没电离 二、n型半导体的载流子浓度 电子通过两种方式产生  假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的,电中性条件为: 则 当温度从低到高变化时，对不同温度还可将此式进一步简化 本征激发区 杂质离化区 过渡区 （2）中间电离区 温度继续升高，当2NC ND后，ln(ND / 2NC) 0 费米能级降到(EC+ED) / 2 以下 当温度升高到 EF = ED时，则 施主杂质有1/