化学工程毕业论文摘要.doc

第一章 前言 化学气相沉积法（CVD=Chemical Vapor Deposition）合成金刚石[1,2]是指在低压条件（≤100kPa）下，采用一定方法激活含碳气体，使其中的碳原子在基底（种晶）上过饱和沉积、生长成金刚石。碳源气体被激活和碳原子的沉积过程伴随着一系列化学反应，因此这种合成金刚石的方法被称为化学气相沉积法。要实现金刚石的化学气相沉积有几个必要条件： 1） 有碳源气体和激活碳源气体的能量，将碳原子从碳源气体中“剥离”出来; 2） 有供CVD金刚石生长的物理空间，即基底，或称种晶，根据实验目的的不同可选用不同的基底，常用作基底的材料有硅、钨、钼、等，但目前CVD法合成单晶金刚石必须采用金刚石作种晶，才能实现单晶CVD金刚石的同质外延生长; 3）有供化学气相沉积反应发生的生长室，且有配套设施提供生长所需的低压环境; 4）有氢气，碳原子的激活和沉积，以及CVD金刚石的生长必须要在高浓度的氢气中进行。 依照激活反应气体的能量和方法的不同，化学气相沉积法可分为热丝法和等离子体法两大类，其中等离子体法又根据激活等离子体的能量不同分为微波等离子体化学气相沉积法等四大类。 化学气相沉积法 微波等离子体化学气相沉积是目前最广泛使用的技术，极高的率μm h-1以上）生CVD厚单晶，CVD金刚石单晶有极高的断裂韧性和硬度力学性能，化学，光学和电子特性可以广泛。高速合成化学