单电子晶体管笔记.docVIP

第六章第七章注释： 按库仑岛的数目分类为单岛和多岛两种。 按所用的材料可分为金属单电子晶体管和半导体单电子晶体管以及碳纳米管单电子晶体管。半导体单电子晶体管又可以分为Si单电子晶体管和GaAs单电子晶体管。 后面我们主要按这两种分类来介绍SET器件。按制造的类型可以分为用光刻工艺制造的单电子晶体管和用光刻工艺与其他工艺结合制造的单电子晶体管等。根据栅电极的位置，把单电子晶体管分为背栅单电子晶体管和侧栅单电子晶体管。 单导： (1)金属单电子晶体管 AI/Al2O3/Al岛是最早被用来制造单电子晶体管的。K.Matsumoto和蒋建飞等采用选择阳极氧化法，用探针直接在一层很薄(3nm)的厚的Ti膜上形成氧化物图形，制成在室温下工作的单电子晶体管。只是用针尖的加工速度太慢，生产效率很低 TiOx材料单电子晶体管 (2)半导体单电子晶体管 80年代，MIT和IBM公司的两个研究小组一直致力于极窄沟道的晶体管在极低温度下工作特性的研究，他们分别用Si和GaAs材料成功制造了SET。 MIT 的Scott与Thomas制备的窄沟道晶体管 （a）截面图（b）俯视图 IBM的U.Meirav等制备的类似结构的GaAs/AIGaAs SET。 (3)纳米粒子单电子晶体管 为了减小库仑岛的面积，研究人员把团簇化学技术应用到单电子晶体管的制造中，把它与电子束光刻技术