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金属化与多层互连 金属化：金属（Al、Cu、Pt、W）及金属性材料（金属 硅化物、金属合金）在集成电路技术中的应用. 金属在集成电路中的作用： MOSFET栅电极材料 互连材料－－－将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块 接触材料－－－直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的连接点 Overview of Multilevel Metallization 集成电路对金属化材料特性的要求 与n＋、p＋硅或多晶硅形成低阻的欧姆接触（接触电阻小），利于提高电路速度 抗电迁移性能好，长时间在较高电流密度负荷下，金属材料的电迁移现象不致引起金属引线失效 与绝缘体（SiO2）有良好的附着性 耐腐蚀 易于淀积和刻蚀 易于键合，且键合点能经受长期工作 多层互连要求层与层之间绝缘性好，不互相扩散和渗透，要求有一个扩散阻挡层 晶格结构和外延生长特性 金属薄膜的晶格结构决定其特性，外延生长或单晶膜具有最理想的特性，降低电阻率和电迁移率。 影响单晶膜生长的主要因素： 薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度（附录3、附录4） 界面附着稳定程度 薄膜晶化生长稳定性 淀积条件（是否引起热学特性失配） 材料纯净度 后续工艺处理 电学特性 电学特性：电阻率、电阻率的温度系数（TCR）、功函数、与半导体接触的肖特基势垒高度（不同材料的电学特性参见P342附录6） 对接触金属材料和栅电极材料，其功函数、与半导体接触的肖特基势垒高度、接触电阻是非常重要的参数。 肖特基势垒高度＝功函数－半导体材料亲和势 机械特性、热力学特性以及化学反应特性 多层薄膜体系中存在的应力：固有应力＋热应力 固有应力：薄膜与衬底晶格失配、薄膜的微结构与纯净度、薄膜中的缺陷、化学反应引入的改变量、各向异性生长、表面效应（表面张力）、静电学性质的影响。 热应力：衬底和薄膜热膨胀系数的不同以及薄膜生长（或退火）温度与使用温度的不同。 应力的作用：严重影响互连体系的可靠性（金属与半导体接触界面的可靠性与稳定性和材料的化学反应特性以及热学特性密切相关）；应力可导致互连线出现空洞；与互连材料的电迁移有关。 减弱多层薄膜体系应力的措施：淀积生长适当的覆盖层。如第一层薄膜受张力，覆盖层受压力时应力减少，经过退火后应力转移，主要集中在覆盖层，而原有薄膜所受应力减少 Silicon and Select Wafer Fab Metals (at 20°C) Metals and Metal Alloys used in Wafer Fab Aluminum Aluminum-copper alloys Copper Barrier metals Silicides Metal plugs 铝在集成电路技术中的应用 铝是集成电路中最常用的互连金属材料 铝的优点：室温电阻率低；与n＋、p＋、或多晶硅的欧姆接触电阻低；与硅和磷硅玻璃的附着性好；易于淀积和刻蚀。 Aluminum Interconnect Ohmic Contact Structure 金属铝膜的制备方法 电阻加热蒸发法 电子束蒸发法 溅射法：厚度的均匀性、台阶的覆盖较好 Al/Si接触中的几个物理现象 Al－Si相图：Al、Si之间不能形成硅化物，Al在Si中的溶解度非常低，Si在Al中的溶解度比较高（参见P270图9.2）400度时重量溶解度为0.25，500度时为0.8。当Al与Si接触时在退火过程中会有相当多的Si原子溶解到Al中。 Si在Al中的扩散系数：在400－500度的退火温度范围内，Si在Al薄膜中的扩散系数比在晶体Al中约大40倍（Al薄膜为多晶，杂质在晶粒间的扩散系数远大于在晶体内的扩散系数。 Al与SiO2的反应：Al容易与SiO2反应， 3SiO2＋4Al－－3Si ＋ 2Al2O3， Al与Si接触时可“吃掉”生长在Si表面的极薄自然氧化层，降低欧姆接触电阻，Al与SiO2的作用可改善集成电路中Al引线与下面SiO2的黏滞性 Al/Si接触中的尖楔现象 Al/Si接触时，Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散而离开接触孔的同时，Al就向接触孔内运动，填充因Si离开而留下的空间。在某些接触点处Al就象尖钉一样揳进到Si衬底中去，使pn结失效。这就是“尖楔”现象。“尖楔深度可以超过1微米，深过一般超大规模集成电路中的结深。 Al/Si接触的改进 Al－Si合金金属化引线 用Al－Si合金代替纯Al作接触和互连材料，在Al中加入Si饱和溶解度所需的足量Si，可解决Al的尖楔问题，但是较高合金退火温度溶解在Al中的Si在冷却过程中又会从Al中析出。 铝－掺杂多晶硅双层金属化结构 磷（砷）在多晶硅晶粒间界中分凝，使晶粒间界中的硅原子