第4章 发光二极管(LED).pptVIP

【解】 少子浓度为 扩散长度为： 【例题3.2】 GaAs材料制作的LED，其参数与例题3.1中相同，假设注入的总的电流为0.35mA，辐射效率为0.5。 （1）请计算此LED产生的光子流； （2）GaAs带隙为1.43 eV，计算产生的光功率。 【解】 注入的电子电流为 产生的光子流为 IV. 外量子效率 外量子效率表征的是器件的总的发光效率，也称为表观效率，即器件从外界来看的总发光效率。 1. 出光效率 定义： 指从发光面出射的光子数占发光区产生的总的光子数的比例。发光区产生的光子并非都能出射，这是因为在半导体材料中存在多种导致光子损耗的因素： 发光区产生的光子需要穿过一定厚度的材料才能到达出射面，在此过程中材料会吸收光子，产生电子-空穴对； 到达出射面的光子，由于界面的菲涅尔反射，有一部分光子无法出射，形成菲涅尔反射损耗； 在出射界面处，若入射角大于临界角，会发生全反射，因而只有有限角度范围内的光子能够出射。 2. 提高出光效率的措施 （1）尽量减小吸收损耗； 容易想到的思路是使用吸收系数小的材料，如间接带隙材料，但这不是好的办法，因为间接带隙材料辐射效率很低； 可以考虑减小吸收层的厚度，让发光区尽量靠近表面，但表面陷阱密度高，引起的复合属于非辐射复合，造成器件发光效率下降； 有效的方法是使用异质结结构，限制层材料带隙