讨论光学透明电极在过去的成功和未来的挑战研讨.doc

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讨论光学透明电极在过去的成功和未来的挑战 透明导电电极在信息能源上扮演者很重要的角色。这些材料特别是透明导电氧化物,被广泛的应用在透明电极穿越技术例如底发光覆盖,平板显示屏,薄膜太阳能电池和有机发光二极管。通过汇总性能和透明导电氧化物如In2O3,SnO2,ZnO和TiO2的应用来回顾开始的发展。由于增长的需要对于未经过加工的材料——特别是铟——科学家们当前一直在探究如何取代铟锡氧化物。碳纳米管和金属纳米线网格,和有规律的金属网格一样,已经被研究用于透明导电电极。这个评论为了对比这些材料和当前“新的发现”石墨烯通过今天建立的透明导电氧化物。 透明导电电极,这个运输光和同时导电,大部分在可见光谱的范围,对于信息(显示器)和能源(太阳能光电板,建筑的窗玻璃)的技术重要性在提升。 自从十九世纪末以来材料科学就发现,第一个被制备的金属薄膜是通过蒸发和溅射。Badejer在1907年也许是第一个研究透明导电氧化物的科学家,包括CdO,Cu2O和PbO。对于CdO,有淡黄色的外貌,他获得电阻率低到1.2*10-3欧姆厘米,他仅仅在数值上超过铟锡氧化物薄膜——这个现今最好的透明导电。 在1925年量子力学基础建立后,我们对电子性能和半导体参杂的了解提升到令人瞩目。科学家们也鉴定了本证缺陷所扮演的角色例如缺位以及替换原子和间隙原子的缺陷。尽管那时候的金属薄膜是通过蒸发和二极管溅射制备的,但是氧化物薄膜能够通过不能的技术被保存,包括金属薄膜氧化;金属靶的溅射在活性气体中;以及化学沉积通过喷涂或者浸渍的方法涂抹在热玻璃上。 科学家们很快发现薄膜的电阻率,尤其是金属材料的制备,显著地高于相应的疏松物质。在1938年,福克斯表明了这是由于当电子自由度与薄膜的厚度差不多时在表面上的附加散射引起来的。随后,美阿德斯和沙特茨克斯提供了在多晶薄膜的晶界上散射必须也要考虑到。这两个因素限制了非常薄的多晶薄膜的电导率。 二战之后电子产业开始产生,透明电极因为光电子的应用而被研究,例如在硒整流器的光电池,热玻璃和抗静电玻璃。当科学家用它作为透明热图层作为飞机驾驶员座舱的窗户时二氧化锡发生了突破性进展。在第二次世界大战之后科学家们也研究氧化锌用一个典型的化合物半导体在装置的应用上。然而,氧化锌第一次应用在表面声波设备上作薄膜层由于它的优良的压电性能,这些发现在1960年。 透明导电材料的工业上的广泛应用是开始于19世纪60年代末期,当科学家们用红外过滤由锡或者氧化铟构成的组合在低压钠气体放电灯通过减少热损耗来增长照亮效果。在1970年随着平板电脑的到来,铟锡氧化物成为最广泛的用于透明电极的透明导电材料。 1970年的石油危机之后,能源的作用成为研究和技术的重要项目。窗玻璃的热反射——低发射率镀膜控制热和光穿过玻璃——为节能提供了一个可能的途径。对于涂料,价钱便宜,参杂氧化膜或者在两种氧化物或者氮化物薄膜之间的薄的金属膜,也有三氯乙烯。然而,他们仅仅利用他们的光学性能这个目的,也就是说,他们高的反射率在红外光谱范围超过了1微米的波长。ITO不再用作低辐射系数的涂层这是由于铟的高价钱,以及由与Cd的毒性而Cd2SnO4被放弃使用。现在,典型的低辐射系数涂层是由在玻璃薄片的三层膜组成的,例如二氧化锡(氧化锌或者三氧化二铋)。对于一个堆积方式可以用大约12纳米的银层完成2.5到3.5欧姆的薄膜电阻。这符合银层的4.5微欧厘米的电阻率,这个由于附加缺陷和表面散射过程大约超过体积作用的三倍。 低发射的玻璃涂料制造业是一个成熟的工业过程,每年世界能够生产4000km2的玻璃。另外出现的应用是导电玻璃的利用——透明导电氧化物镀膜玻璃用于导电和热变色设备——这个能够被用作建筑玻璃用来对抗太阳光的直射来减少热负荷。 不同的TCO材料有不同的利用价值,仅仅二氧化锡参杂,ITO和氧化锌参杂(“X”是参杂物)能够获得广泛的关注度,由于能带隙能量大于3eV,考虑到在可见光和紫外光附近范围的应用(在300纳米以下),以及他们在10-3欧姆左右的低电阻或者是更低。TCOs控制透明电极的范围是在二战后的数十年。现今ITO是TCO材料能够进行大规模工业生产的具有最低电阻率的材料——大约是1到2*10-4欧姆厘米。ITO几乎是制备平板电脑的唯一的透明电极材料。 用氟或者锑参杂二氧化锡是首次作为TCO材料用在工业生产,特别是用作低发射率涂层在玻璃上。现在,他也被用作透明电极,尤其是太阳能电池是基于减震材料a-Si:H或者CdTe。二氧化锡的电阻率能够达到*10-4欧姆厘米。处于对价钱最低的考虑,ZnO在ITO和SnO2之间,他的电阻率是在2-4*10-4这个范围。在薄膜太阳能中他也被用作玻璃和接触层,基于减震材料a-Si:H和Cu(In,Ga)Se(S)2。获取低电阻需要透明电极载流子浓度和载体的移动性尽

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