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mos管是一个本身反接的‘二极管’，因而是断开的。由于Vgs产生沟道从而控制导通。 Pmos为什么栅极低电平导通：低电平（负电压） 在N衬底中感生出（正电荷），形成P沟道导通。 nMOS为什么源级都要接地？pMOS源级都要接Vdd？： 首先，要清楚MOS的D,S是对等的，如果两端都不加电压，是不能区分D,S的。而加电的时候，可以理解为载流子由S流向D，这样nMOS的S是低电平，D是高电平（电子流向）；pMOS的S是高电平，D是低电平（空穴流向）。 　由于 PNP 型和 NPN 型三极管在使用时对电源的极性要求是不同的，所以在三极管的图形符号中应该能够区别和表示出来。图形符号的标准规定：只要是 PNP 型三极管，不管它是用锗材料的还是用硅材料的，都用图 13 （ a ）来表示。同样，只要是 NPN 型三极管，不管它是用锗材料还是硅材料的，都用图 13 （ b ）来表示。图 13 （ c ）是光敏三极管的符号。图 13 （ d ）表示一个硅 NPN 型磁敏三极管 利用电场控制的半导体器件，称为场效应管，它的符号如图 16 所示，其中（ a ）表示 N 沟道结型场效应管，（ b ）表示 N 沟道增强型绝缘栅场效应管，（ c ）表示 P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管。它们的文字符号也是“ VT ”。 耗尽型一直导通  HYPERLINK /phenixyf/article/detailsPMOS 和 NMOS的区别 NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通，缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低，优点是容易驱动，只要把栅极电压拉下来就可以了 mos管的作用 MOSFET应用于电流的放大，由于MOSFET的输入阻抗很高，因此MOSFET非常适合用作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换，同时用作可变电阻，以获得恒流源。 MOS管在供电电路里表现为受到栅极电压控制的开关。 以下来自360doc图书馆 a897908460@ jh123456 关于MOS管内的寄生二极管 场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。 D-S之间的二极管（寄生二极管）的作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 场效应管D极与S极的互换 仅从电气符号就可以看出来这种管子是非对称的，其中主要的差别就是衬底和S极是连在一起的。正是由于这种差别，造成了场效应管不能互换S极和D极。由于场效应管结构的原因，不可避免地在衬底和S极、衬底和D极之间存在p－n结(二极管)，当衬底和S极连在一起时，衬底和S极之间的p－n结被短路。但衬底和D极之间的p－n结依然存在。也就是说D极和S极之间存在一个反向二极管，通常叫做体二极管或寄生二极管。这可以从场效应管的符号中看出来(有的厂家并不画出体二极管，但仍然存在，可以用万用表量到)。由于存在这个二极管，使得场效应管不能反过来使用，因为反过来用二极管就常通了 场效应管(MOSFET)的工作原理 要使增强型N沟道场效应管(MOSFET)工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示（上面↑）。　　若先不接VGS(即VGS＝0)，在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。 当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图4所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。 功率场效应管(MOSFET)典型应用电路 1．电池反接保护电路　　 电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON）约为0.04Ω，则在lA时约为0.04V。这时要注意在电池正确安装时，ID并非完全通过管内的二极管，而是在VGS≥5V时，N导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从S流向D的(ID为负)。而当电池装反时，场效应管(MOSFET)不通，电路得以保护