第七章微波有源电路1.pptx

微波工程导论Email:wbgcdl@Key:wbgcdl;;7.1.1 微波固态有源器件简介 目前应用最多的器件是硅双极晶体管（简写为BJTs）、砷化镓金属半导体场效应管（GaAs MESFETs，简写为FETs）、GaAs和InP的高电子迁移率晶体管（HEMTs）、SiGe和GaAs两者的异质结双极晶体管（HBTs）等。 硅双极晶体管有较低的漏电流和低的1/f噪声，只需单个电源供电，而且十分便宜，因此市场占有率高，用于放大器可工作于2-10GHz，用于振荡器可到20GHz。 FETs和HEMTs有很高的工作频率，低的噪声系数，极好的开关特性，高的功率输出和在较低工作电压上有较高转换效率的能力。因此，作为单个分离的晶体管，FETs广泛用于低噪声放大、宽带放大、中功率和高功率高效率放大器、混频器、倍频器、开关电路和增益控制电路中。 由于异质结构的应用而改善了电荷的转移特性（如在HEMTs中），或p-n结注入特性（如HBTs）HEMTs和HBTs器件为微波和毫米波的IC应用提供了潜在的优点。应用新颖结构生产的单片微波集成电路（MMICs）较大地改善噪声性能和高频工作（直至200GHz）。;7.1.2微波单元电路及其制造;设计微波放大器时所考虑的主要问题: 放大器的功率增益 噪声系数 放大器的稳定性 输出功率 输出端的驻波比 对功率放大器的效率等。;四个反射系数为 源的反射系数 输入端反射系数 输出端反射系数 负载反射系数 这四个参数既各自独立又有一定关联。例如，负载改变， 将改变，输入反射系数 也跟着改变，但输出反射系数 和源的反射 系数并不改变。相似地，如源阻抗改变、 将改变， 跟着改变，但 和 并不改变。;图中标出四种类型的功率量： Pa为由信号源给出的可用功率； Pin为实际交付给网络（器件）的功率； Pout为网络输出的可用功率； PL为实际交付给负载的功率。 （1） 功率增益 实际应用中有转换功率增益、可用功率增益和工作增益。 转换功率增益定义为负载吸收的功率与信号输出的可用功率之比，即 可用功率增益定义为网络输出的可用功率与源输出的可用功率之比，即 工作功率增益定义为实际交给负载的功率对输入到网络的功率之比，即;对输入和输出端口，入射波和反射波的关系为 联立求解得： 同理有： 交付给网络的平均功率为： 交付给负载的功率为： ;源的可用功率 是可交付给网络的最大功率，它是当网络的输入阻抗与源阻抗共轭匹配时出现;10;假定网络是单向的，即 =0，因此 S11 和 S22 ，将之代入上式得： 可以认为它们是三个独立的增益，这使分析和设计简单化，既可以分别设计，也可综合考虑。其中，GS和GL 分别表示输入输出匹配网络的增益或损耗。 ;我们可以使输入反射系数和输出反射系数达到最佳，使输入和输出匹配电路达到最大增益。即如果满足 和 的同时满足共轭匹配条件，则转换功率增益达到最大，并称之为最大单向增益 ，其值为;13;输入到放大器的噪声功率可以用一噪声电阻来模拟。这一噪声是电阻器内电子随机运动而产生的热噪声，由电阻产生的最大噪声功率为： 对一个微波放大器，无信号输入时还可以测量到小的输出信号，这是放大器的噪声。放大器总的输出噪声功率由输入到放大器的噪声和放大器本身的噪声两部分组成。 如果放大器没有噪声，则;?;一般任何有噪声的二端口网络可以用一噪声电压和一噪声电流源连接于无噪声网络的输入端口来表示。如果电路表现为电压噪声为主，用一高阻抗的源将使噪声信号的传输最小；但是如果是电流噪声为主，用低阻抗源将使噪声信号的传输最小。当两种噪声源都必须考虑时，在特定的源导纳或源阻抗时，电路的噪声系数将最小，这种情况的源导纳称为最佳源导纳。 或 注意：最大单向增益匹配 与最佳噪声匹配不一致。;放大器的稳定性可以通过二端口的参数、输入和输出匹配网络及终端阻抗等来检验。放大器的稳定可以是无条件（绝对的）稳定或有条件稳定。在给定的频率下，如果输入和输出阻抗的实部是正的，即 1 和 1 （反射波的幅度减小），这种情况是无条件稳定的，此时，不管源阻抗和负载阻抗为任何值，放大器都是稳定的。否则，如果源和负载阻抗只能在特定的范围内选择，超出该特定范围可能出现源和负载阻抗的实部为负，而 1或 1（反射波的幅度增大）的振荡状态，则放大器是有条件稳定的。;绝对稳定条件可以用反射系数表示为： （7.2-26） 现令