第五铁磁介质与磁路剖析.pptVIP

2006.5 北京大学物理学院王稼军编 串联磁路：无分支磁路 高磁阻空气隙在整个磁路中起主要作用 并联磁路：有分支磁路（书233页） 对于分支节点，忽略漏磁，满足 2006.5 北京大学物理学院王稼军编 磁屏蔽 用铁磁质做成一闭合壳体可以起磁屏蔽作用。 这一系统放在外磁场中，闭合壳体和壳内空腔组成并联磁路。由于空气空腔的磁阻远大于壳体的磁阻，空腔内的磁通量和磁感应强度远小于壳体内的 * 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院王稼军编 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 各种磁介质 磁介质分类 弱磁性：顺磁质、抗磁质 强磁性：铁磁质 一般有两类分子 无外场 有外场 无磁矩分子 m分子= ml+ ms＝0 ? m分子=0 ? m分子?0 有磁矩分子m分子= ml+ ms ? 0 ? m分子=0 ? m分子?0 顺磁质的磁化 分子在外磁场作用下趋向于外磁场排列 热运动与磁场作用相抵抗 抗磁质 顺磁质 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 抗磁质 抗磁质分子的固有磁矩m分子= ml+ ms＝0 不存在由非零分子固有磁矩规则取向引起的顺磁效应。磁性来源？ 抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场下的变化 电子轨道运动为什么会变化？原因：在外磁场下受洛伦兹力 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 分子磁矩的由来 在原子或分子内，一般不止有一个电子 分子磁矩：所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和 m分子= ml+ ms＝0 电子轨道磁矩 与角动量方向相反 电子自旋磁矩 若所有电子的总角动量（含轨道和自旋）为零，抗磁 所有电子的总角动量（含轨道和自旋）不为零 ，顺磁 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 外磁场对电子轨道运动的影响 外磁场作用在一个抗磁原子上，考虑电子的轨道运动(设电子角速度平行于外磁场) 求无外磁场时的角速度 ?0(电子只受库仑力） 加外磁场B0，电子受库仑力、洛伦兹力（指向中心），假设轨道的半径不变（相当于定态假设），设洛伦兹力远小于库仑力 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 洛伦兹力远小于库仑力，高阶无穷小，略 考虑电子角速度反平行于外磁场，有同样结论，??的方向总是与外磁场B0相同 电子角速度改变将引起电子磁矩改变 总是与外磁场方向相反 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 当介质处于磁场中时，每个电子磁矩都受到磁力矩的作用 5.3 铁磁质 起始磁化曲线：Ms、Bs分别为饱和磁化强度和饱和磁感应强度 M～H、B～H之间的关系是非线性和非单值的 特点 其中M的值相当大； M与H不成正比关系，甚至也不是单值关系。实验表明，M和H间的函数关系比较复杂，且与磁化的历史有关。 铁磁质的M与H、B的关系通常通过实验测定 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 磁滞回线 MR：剩余磁化强度 BR: 剩余磁感应强度 HC：矫顽力。 在上述变化过程中，M和B的变化总是落后于H的变化，这一现象称为磁滞现象;上述曲线叫磁滞回线。 （a）硬磁材料 (用于耳机、扬声器、录音机中的永磁体) （b）软磁材料 （常用于交流线圈中的铁芯） 铁磁质的分类： 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 磁滞损耗 当铁磁质在交变磁场作用下，反复磁化是由于磁滞效应，磁体要发热而散失热量，这种能量损失称为磁滞损耗。 可以证明：B－H图中磁滞回线所包围的“面积”代表在一个反复磁化的循环过程中单位体积的铁芯内损耗的能量 磁滞回线越胖，曲线下面积越大，损耗越大； 磁滞回线越瘦，曲线下面积越小，损耗越小 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 铁磁质磁化机制 自发磁化区 近代科学实验证明，铁磁质的磁性主要来源于电子自旋磁矩。在没有外磁场的条件下铁磁质中电子自旋磁矩可以在小范围内“自发地”排列起来，形成一个个小的“自发磁化区”——磁畴 自发磁化的原因是由于相邻原子中电子之间存在着一种交换作用（一种量子效应），使电子的原子磁矩平行排列起来而达到自发磁化的饱和状态 单晶和多晶磁畴结构的示意 2006.4 北京大学物理学院王稼军编 磁化过程示意 a：未磁化时状态 b：畴壁的可逆位移阶段—OA段 c：不可逆的磁化——AB段 d：磁畴磁矩的转动——BC段 e：趋于饱和的阶段——CS段 等于每个磁畴中原有的磁化强度 在外磁场撤消后，铁磁质内掺杂和内应力或因为介质存在缺陷阻碍磁畴恢复