第3章电阻.docVIP

第三章??应变式传感器（电阻式） 主要内容： 3.1电阻应变片原理 3.2金属应变片的主要特性 3.3应变片测量电路 3.4应变式传感器的应用 重点： 不同材料类型：金属应变片、半导体应变片 应用范围：应变力、压力、转矩、位移、加速度； 主要优点：使用简单、精度高、范围大体积小。 ?3.1 电阻应变片原理 3.1.1应变效应 金属应变片结构： 网状敏感栅——高阻金属丝、金属箔基片———绝缘材料盖片———保护层 ? ?金属电阻应变片的基本原理基于电阻应变效应：即，导体产生机械形变时它的电阻值发生变化。 ?一根长L ，截面积为S ，电阻率为ρ的金属丝 电阻为 当电阻丝受到轴向拉力F作用时，轴向拉长ΔL，颈项缩短ΔS电阻率增加Δρ 电阻值ΔR的变化引起电阻的相对变化为： 轴向应变截面积相对变化量 由 材料力学可知，泊松系数横向变形系数 代入上式： 或：令： 受力后材料几何尺寸变化（1+2μ） 受力后材料电阻率的变化（Δρ/ρ）/ε 对于金属电阻丝 μ=0.25～0.5(钢μ=0.285) （1+2μ）（Δρ/ρ）/ε k0≈1+2μk0≈1.5～2 金属应变片灵敏系数k0主要由材料的几何尺寸决定的 应力σ=Eε可见σ∝ε 应变ε∝ΔR/R 应力σ∝ΔR/R应力正比于电阻值的变化量 通过弹性元件可将位移、压力、振动等物理量将应力转换为应变进行测量，这是应变式传感器测量应变的基本原理。 ? 3.1.2压阻效应和压阻式传感器 对于半导体材料主要利用压阻效应，半导体的电阻取决于有限量载流子（电子、空穴）的迁移率，加在单晶某一轴向上的外应力引起半导体能带变化，使载流子迁移率发生较大变化，使电阻发生变化。 半导体应变片又称压阻式传感器，优点是灵敏度高、体积小、耗电少、有正负两种符号的应力效应。缺点是受温度影响较大。 已知固体受力引起的电阻变化为： ΔR/R=（1+2μ）ε+Δρ/ρ= kεK=1+2μ+（Δρ/ρ）/ε 因（1+2μ）（Δρ/ρ）/ε 所以k0≈（Δρ/ρ）/ε （Δρ/ρ）/ε≈ 50～100 k0≈50～100 半导体材料的灵敏系数k0主要由电阻率ρ的变化引起的（压阻效应），灵敏系数远大于金属应变片的灵敏系数。 ?? 3.1.3应变片种类 按材料分：金属式体型——丝式、箔式、薄膜型半导体式体型——薄膜型、扩散型、外延型、PN结型 按结构分：单片、双片、特殊形状 按使用环境：高温、低温、高压、磁场、水下 金属丝式 Ф0.025mm金属丝（康铜、镍铬合金、贵金属）做敏感栅 金属箔式 用光刻腐蚀工艺、照相制版制作成厚0.003—0.01 的金属箔栅， 金属薄膜式 用真空溅射或真空沉积技术，在绝缘基片上蒸度几～几百纳米金属电阻薄膜。 ?? ? ?各种金属箔式应变片 3.2金属应变片的主要特性 应变片的灵敏系数 金属丝做成应变片后电阻应变特性与单根金属丝不同实验证明，应变片灵敏系数K 电阻丝灵敏系数K0 ? 横向效应 直线电阻丝绕成敏感栅后，虽然长度相同，但应变不同，园弧部分使K↓，这种现象称为横向效应。为减小横向效应，常采用箔式应变片。 箔式应变片结构 应变片温度误差及补偿 应变片安装在自由膨胀的试件上，如果环境温度变化，应变片的电阻也会变化， 这种变化叠加在测量结果中称应变片温度误差。 应变片温度误差来源有两个 应变片本身电阻温度系数αt影响； 试件材料的线膨胀系数βg影响。 电阻丝阻值与温度关系： Rt = R0（1+αtΔt）= R0 + R0αtΔt 温度变化Δt时电阻丝的电阻变化； ΔRt = Rt – R0 = R0αtΔt 因试件使应变片电阻产生的附加形变造成的电阻变化； ΔRt =R0K（βg -βs） Δt 因环境温度改变引起的附加电阻变化与环境温度变化Δt有关；应变片本身的性能参数K、αt、βs；试件参数βg有关。 温度补偿方法 电桥线路补偿、自补偿、辅助测量补偿、热敏电阻补偿、计算机补偿。 自补偿 线路补偿 在被测上安装一个应变片，在另一个与被测 试件上安装一个补偿片，并完全处于相同的温度场，测量时位于相邻的电桥臂上，温度变化时ΔR1与ΔRB相等变化，使电桥输出U0与温度无关。 电桥输出U0与桥臂参数的关系为： U0=A（R1R4-RBR3） R1为工作片，RB在相近位置不受力；调节电桥平衡使输出为零，U0=0； 工作时按R1=R2=R3=RB取值；当温度变化时 R1=ΔRB，电桥仍处于平衡， 当有应变时 R1有增量ΔR1=Kε，补偿片无变化ΔRB=0，电桥输出U0=AR1R4Kε，与温度无关 3.3电阻应变片测量电路 （1）直流电桥 直流电桥的平衡条件 当负载RL——开路时 电桥平衡时 电桥平衡条件： （对比积相等）， （邻臂比相等） ② 电压灵敏度 设R1为应变片，应变时R1变化量为ΔR