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第八章 金属的结构和性质 §8.1 金属键和金属的一般性质 一、金属的一般性 光学性能方面: 金属都显现特有的金属光泽,不透明。 传导透明方面: 金属是良导电体和良导热体。 机械加工方面: 金属通过引伸可拉长成丝,这是延性; 在锤击压碾下可制成薄片,这是展性。 §8.1 金属键和金属的一般性质 §8.1 金属键和金属的一般性质 §8.1 金属键和金属的一般性质 导体的能带结构特征是具有导带. Na的能带结构: 1s、2s、2p能带都是满带,而3s能带中只填充了其中 N/2个轨道,是部分填充电子的能带,即导带. §8.1 金属键和金属的一般性质 若在半导体中加入微量杂质,能大大改变其导电性能,这样的半导体成为杂质半导体,分两种类型:(目的是使空带不空,满带不满变为导带)。 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 ABCABC……堆积怎么会形成立方面心晶胞? 请来个逆向思维: §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 A3最密堆积形成后, 从中可以划分出六方晶胞. §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 A1和A3最密堆积中的空隙 A1和A3中也只有正八面体和正四面体空隙。为求出它们与球数的比例,原则上也是取一个晶胞, 对于球和两种空隙计数。实际作起来却不易搞明白。 为此, 换一种方法来理解: 指定一个球(球数为1),观察它参与形成正八面体空隙的次数, 每参与一次, 它就对应着1/6个正八面体空隙。 对正四面体空隙也依此类推,只不过每参与一次对应着1/4个正四面体空隙。 A1中球数:八面体空隙数:四面体空隙数=1:1:2的图解 4. G参与形成四面体共8次. 其中, 第1-4次发生在绿球层与红球层之间: 第5-8次发生在红球层与蓝球层之间: §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.2 球的密堆积 §8.3 金属单质的结构 §8.3 金属单质的结构 §8.4 合金的结构和性质 §8.4 合金的结构和性质 2. G参与形成八面体空隙共6次. 其中第1-3次发生在绿球层与红球层之间: 第4-6次发生在红球层与蓝球层之间: 3. G每参与形成八面体1次, 它就对应着1/6个八面体。 G共参与6次, 故对应着6 × 1/6 = 1 个八面体空隙. G每参与形成四面体1次, 就对应着1/4个四面体. G共参与8次, 故对应着8 × 1/4 = 2 个四面体空隙. 四面体间隙 八面体间隙 配位数为 12 结论: A1堆积中球数:八面体空隙数:四面体空隙数=1:1:2. 仿照以上方法很容易证明 A3堆积中也有相同的关系. 八面体空隙 四面体空隙 配位数(coordination number,CN): 12 A1 型 球数:八面体空隙数:四面体空隙数=1:1:2 Theoretical density for metals (金属晶体理论密度) Where n = number of atoms associated with each unit cell A = atomic weight(原子量) VC = volume of the unit cell(晶胞体积) NA = Avogadro’s number (6.023 × 1023 atoms/mol) 在晶格常数的测量不是很方便的情况下,也可以通过测定金属晶体的密度来估算金属原子的半径。 Cu, FCC Acu= 63.5 g/mol R=0.128 nm 因为: 例: 4、非最密堆积结构A2和A4 (1) A2 型密堆积 每个金属原子最近邻有8个金属原子,次近邻有6个金属原子(距离较直接接触大15.5%),不是最密堆积。体心立方密堆积(body cubic packing, 简称 bcp,或 A2)。 A2型为立方体心堆积, 每个晶胞中有两个球, 1个球为1个结构基元。 原子的坐标是 (000) (1/2 1/2 1/2 1/2) ) 每个原子有8个最近邻原子及6个次近邻原子。次近邻原子间的距离仅比最近邻原子距离约大15%,因此往往要考虑次近邻的作用,有时将配位数记为8+6,即有效配位数大于8 扁八面
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