第半导体二极管及其基本电路剖析.pptVIP

整流电路（理想模型） （a）电路图 （b）vs和vo的波形 半波整流电路 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 在实际电路中,当电源电压远比二极管 的管压降大时,利用此法是可行的。 恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 典型值是0.7V 只有当二极管的电流iD 近似等于或大于1mA时 才是正确的。 Vth约为0.5V； * * * * * * * * * * 第1章 半导体二极管及其基本电路 半导体的基本知识 半导体二极管及其基本特性 二极管的基本应用电路 1.1 半导体基本知识 在自然界中，根据物质导电能力的差别，可将它们划分为导体、绝缘体和半导体。 如：金属 如：橡胶、陶瓷、塑料和石英等等 容易导电的物质 不导电的物质 最典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素 典型的半导体材料 元素 硅（Si）、锗（Ge） 化合物 砷化镓（GaAs） 掺杂元素 硼（B）、磷（P） 1.1.1 半导体材料 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间 半导体的特性： 热敏性——半导体的导电能力随温度的变化 而变化。 热敏电阻 光敏性——半导体的导电能力与光照有关。 光敏二、三极管及光敏电阻 掺杂性——在半导体中掺入微量杂质后其导 电能力要发生很大变化。 普通二、三极管 、场效应管 电子技术中的二极管、三极管都是用半导体材料制成的 1 本征半导体 不含杂质的纯净半导体叫本征半导体, 如锗、硅等。 2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。 N型半导体: 在本征半导体硅或锗中掺入微量的五价元素，可使自由电子的浓度大大增加，主要靠电子导电，故称为电子型半导体，简称N型半导体。 P型半导体: 在本征半导体硅或锗中掺入微量的三价元素,则空穴的浓度大大增加，这种以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 1.1.2 PN结及其单向导电性 1. PN结的形成 在一块完整的晶片上，通过一定的掺杂工艺，一边为P型半导体，另一边为N型半导体，则在它们的交界处形成一个具有特殊物理性能的薄层，称为PN结。 将P区接电源正极，N区接电源负极，称为PN结正向偏置，此时PN结处于正向导通状态。 2 PN结的单向导电性 前提：只有在外加电压时才会显示出来 外加正向电压 将P区接电源负极，N区接电源正极，称为PN结反向偏置，此时PN结处于反向截止状态。 外加反向电压 归纳： PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。 1.2.1 二极管的结构与符号 二极管实物认识 1.2 半导体二极管及其特性 二极管图形符号、文字符号 1.2.2 二极管的V-I特性 晶体二极管两端所加的电压与流过管子的电流的关系特性称为二极管的“ 伏安特性”。 1 正向特性 硅二极管的死区电压Von=0.5~0.8V左右， 锗二极管的死区电压Von=0.1~0.3 V左右。 当0＜V＜Von时，正向电流为零，Von称死区电压或开启电压。 正向区分为两段： 当V ＞Von时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 2, 反向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 普通二极管不允许工作在反向击穿区。 3. 反向击穿特性 反向截止区 反向击穿区 死区 正向导通区 死区:当二极管加上正向电压且较低时, 电流非常小, 如OA, OA′段。 正向导通区：当正向电压大于死区电压之后, 正向电流明显增加, 如图中的AB 和A′B′段。 反向截止区