半导体二极管及其基本电路剖析.pptVIP

* (3) 动态电阻rZ rZ =?VZ /?IZ (4) 最大耗散功率 PZM (5) 稳定电压温度系数——?VZ 3. 主要参数 保证稳压管不发生热击穿的最大功率损耗 PZM = VZ IZmax -VZ -IZ(min) -IZ(max) ? VZ ? IZ vD iD O -VZ0 -IZT Q rZ越小，说明稳压管稳压特性越好 * 4. 稳压电路 并联式稳压电路 当电源波动或负载电流的变化引起Vo变化时： Vo? ? Vz? Vo ? =Vi-VR ? Iz? ? ? IR? =(Iz+Io ) ? VR? =IRR 正常稳压时： VO =VZ 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 不加R可以吗？ R移到稳压管后面可以吗？ 注：稳压管正常工作时加反向电压，并要加限流电阻。 * 例1：在图示电路中，稳压二极管的稳压电压VZ=5V， 正向压降可忽略，问当输入电压Vi分别为10V，3V，-2V ，10sinωtV时的输出电压Vo 。 1）Vi=10V时： Vi=10VZ=5 处在反向稳压区， 则 VO=VZ=5V 3）Vi=-2V时： 处于正向导通状态 则VO=0V 2）Vi=3V时： Vi=3VZ=5 处于反向截止状态， 则 VO=Vi=3V 解： * 4）vi= 10sinωtV时： 在正半周，viVZ时处于反向截止状态，则vO= vi; viVZ时处在反向稳压区，则vO =VZ=5V 在负半周，二极管处于导通状态，则vO= 0 O ωt vi O ωt vo 5V 稳压二极管起限幅作用 * 令输入电压达到上限时，流 过稳压管的电流为IZmax 。 例2：在图示电路中，稳压二极管的稳压电压VZ=10V， Izmin=5mA， Izmax=20mA， RL=2kΩ，要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。求：限流电阻R和输入电压 Vi 的正常值。 解： 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 联立方程1、2，可解得： * 3.5.2 变容二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） * 3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 * 3.5.4 光电子器件 1. 光电二极管 作用：可用来做光的测量；将光信号转换为电信号 管芯由PN结构成，具有单向导电性。 管壳上有接受光照的“窗口”，工作于反向偏置状态,反向电流与光照强度成正比。 D R * 2. 发光二极管 符号 发光二极管工作于正向偏置状态； 有正向电流通过时发出光（光颜色由制作材料决定）； 发光二极管常用作显示器件；或将电信号转换为光信号。 D R * 光电传输系统 输入电路与输出电路没有直接电的联系，实现了电气隔离，使系统具有良好的抗干扰性。 * 本章 要 求 １、理解PN结的单向导电性； ２、理解二极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； ３、理解二极管的四种简化模型，学会利用简化模型分析二极管的电路； ４、理解稳压管的稳压原理，并联式稳压电路的工作原理。 返 回 * * * * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * 2. 面接触型二极管 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 (b) 面接触型 PN结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 * 硅管0.5V 锗管0.1V 反向击穿电压VBR 正向压降VF 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.7V 锗0.2V v i 死区电压Vth P N + – P N – + 常温下，反 向电流很小 3.3.2 二极管的伏安特性 * 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？ * 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击