2011CB302000II族氧化物半导体光电子器件的基础研究.docVIP

项目名称： II族氧化物半导体光电子器件的基础研究 首席科学家： 申德振 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 起止年限： 2011.1至2015.8 依托部门： 中国科学院  二、预期目标 项目总体目标： 本项目以实现基于II族氧化物半导体的低阈值激光和紫外光电探测器件为目标，将重点解决II族氧化物半导体的p型掺杂问题。通过能带剪裁工程、杂质调控工程、带边修饰工程等调控本征施主的产生和发展合适的掺杂方法抑制自补偿；发展具有自主知识产权的、被国际同行广泛认可、并可以检验和重复的器件质量p型II族氧化物半导体的制备方法和技术；阐明材料微观结构和性能与器件功能的内在关联和规律；设计和制备出II族氧化物半导体基低阈值激光器件和紫外探测器件。在取得上述原始创新性突破的基础上，密切了解空间光通信、光存储以及其它应用对短波长激光器和光电探测器的使用要求，为发展我国具有核心自主知识产权的宽禁带半导体短波长光电子器件提供理论指导和技术储备，使我国在II族氧化物半导体方面的研究整体水平处于国际先进，部分领先水平；满足国家在未来太空星际通讯等事关国防安全的一系列重大问题上对短波长半导体激光器、紫外光电探测器等关键元器件的战略需求。 五年预期目标: 掌握大尺寸高纯度ZnO晶体的生长和抛光技术；获得可用于同质外延生长衬底的高纯ZnO晶体，直径2- 3英寸、位错密度 1000 cm-2，X射线半高宽 50 弧秒，表面粗糙度Ra 0.5 nm。 澄清ZnO外延薄膜的极性选择机理以及旋转畴、倒反畴、失配位错和螺位错等微结构对薄膜结晶性和光电性能的影响，制备出背景电子浓度在1016cm-3量级，迁移率大于100 cm 阐明宽禁带半导体掺杂中自补偿效应产生的机制及其有效抑制技术；澄清受主掺杂形态及其形成能对p型掺杂的影响；发现影响ZnO p型掺杂和稳定性的因素和物理机制；获得具有自主知识产权的、被国际同行广泛认可，并可以检验和重复的p-ZnO制备方法和技术；生长出稳定的器件质量的p-ZnO薄膜，其室温载流子浓度接近5 × 1017 cm-3、空穴迁移率达到10 cm 设计出高品质的微腔结构；研制出工作于紫外波段，功率达到三十几毫瓦，光谱半宽度小于0.8 nm，光束原始发散角小于30度，阈值电流密度小于100 A/cm2的II族氧化物半导体基激子型激光器件。 获得响应度大于10 A/W量级、响应时间小于10-9秒量级、紫外可见抑制比大于4个量级的II族氧化物半导体基紫外光电探测器件。 申请30项以上国际国内发明专利；发表SCI收录学术论文100篇以上，其中影响因子大于6.0的论文4篇以上，影响因子大于3.0的论文不少于40篇；在II族氧化物半导体材料和光电子器件领域初步建立具有核心自主知识产权的专利体系；培养博士研究生30名，争取培养国家杰出青年基金获得者1名，中科院“百人计划”类优秀人才3人，提高我国在宽禁带半导体领域的整体水平和国际影响力。  三、研究方案 1）学术思路： 本项目以II族氧化物半导体作为主要研究对象，组织国内在该领域做出突出成绩的单位开展联合研究。根据项目的总体目标和拟解决的关键科学问题，从提高ZnO晶体的质量入手，在得到低背景电子浓度、高迁移率的ZnO基单晶薄膜的基础上进行受主掺杂研究；运用杂质控制工程、能带调控工程、带边修饰工程等手段控制受主掺杂状态，实现器件质量的p型ZnO。在此基础上制备基于II族氧化物半导体的低阈值激光器件和高性能紫外光电探测器件；获得具有核心自主知识产权的II族氧化物半导体基光电子材料和器件的知识体系，满足国家在未来太空星际通讯等事关国防安全和国民经济发展的重大问题上对短波长半导体激光器、紫外光电探测器等关键元器件的战略需求。 2）技术途径： 为了解决杂质调控过程中的补偿效应这一宽禁带半导体面对的共同难题，本项目在开展传统的异质外延的同时，拟利用ZnO具有生长工艺相对成熟的同质单晶衬底这一优势，利用中频感应加热压力温梯法得到大尺寸、高质量的ZnO晶体。在开展异质外延的同时，以此晶体作为衬底进行同质外延，得到低背景电子浓度、高迁移率的ZnO薄膜。 为了克服V族受主掺杂剂在ZnO中形成能为正值而不能稳定存在的问题，拟采用分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等技术手段，采用锂和氮共掺的办法进行ZnO的p型掺杂。由于锂的化学活性大于锌，其与氧可以形成更为稳定的化学键，这样就解决了受主掺杂剂不能稳定存在的问题。同时由于Li-N键的键长与Zn-O键相仿，有助于抑制Li间隙的形成。同时占据氧位置的氮和占据锌位置的锂还可以形成双受主，增加空穴导电的机率。另外，还将利用表面活性原子修饰技术降低受主掺入后系统的能量，从而提高受主的固溶度，解决受主不易被掺入的问题。利用XPS， SIMS， XRD