模拟电子电路第4章答案.docxVIP

4.1 简述耗尽型和增强型MOS场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（VDS0V，VGSVT），画出P沟道增强型MOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压VGS产生沟道。 随着 QUOTE VSG逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为。当 QUOTE \* MERGEFORMAT 一定，而 QUOTE \* MERGEFORMAT ???续增大时，则相应的 QUOTE \* MERGEFORMAT 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至 QUOTE \* MERGEFORMAT ，沟道预夹断，进入饱和区。电流 QUOTE \* MERGEFORMAT 不再随 QUOTE \* MERGEFORMAT 的变化而变化，而是一个恒定值。  QUOTE \* MERGEFORMAT