电子系统设计干扰控制技术连载（八）.doc

电子系统设计：干扰控制技术连载（八） 　 　　经常将造价高的屏蔽体装在系统里用以消除本该在系统设计中就能避免的噪声问题。例如，若一个标准的６０Ｈｚ的电源变压器安装在示波器阴极射线管（ＣＲＴ）附近，则示波器的迹线将会上下抖动。解决该问题的一个方法是加装一个昂贵的三层屏蔽罩，否则，要是我们从头考虑这个问题，我们可有以下办法：（１）选择低泄漏变压器；（２）在钢底架下面安装变压器；（３）远离阴极射线管ＣＲＴ安装好变压器，使其泄漏场方向与ＣＲＴ的长中心轴线平行；（４）有必要时可在ＣＲＴ周围留足够的空间以现实标准的单层屏蔽。　　屏蔽效能（衰减值）通常用分贝（dＢ）描述，表示为： 　　对于处于空气或真空中的屏蔽，上工变为： 　　绝大多数噪声与干扰问题需要３０－６０dＢ的屏蔽值，在１００ＫＨｚ以上，单层屏蔽体能提供４０－７０dＢ的屏蔽值，双层屏蔽能达到１２０dＢ。孔洞和缝隙通常可限制电场与高频磁场的衰减，而屏蔽材料与屏蔽体的厚度限制低频磁场的衰减。（注：为了衰减磁场，屏蔽体一定不能磁饱和）。　　电磁波与屏蔽体间的阻抗不匹配导致部分电磁波在空气与屏蔽体接触处发生反射，其余的电磁波则穿过屏蔽体，其中有一部分转变成了热，当电磁波到达屏蔽体与大气的交界面时，又有部分电磁波泄漏，剩下的被反射回屏蔽体，这些不断被反射的电磁波要一直延续到它泄漏掉或转变成热能时为止。　　我们可用下式来描述一实心薄板的屏蔽效能：　　ＳＥ＝Ｒ＋Ａ＋Ｂ（dＢ）其中： A=-20log10[exp(-T/8)]dB≈8.69T/SdB 　 　　Ｒ是反射系数，Ａ是衰减因子，Ｂ是多次反射因子。值得注意的是，当屏蔽体厚度Ｔ＞３δ时，其阻抗与屏蔽体厚度无关。总之，欲使屏蔽效果显著，其阻抗｜Ｚs｜应小于１Ω／平方（ρ＜０.05Ω-m）。　　高阻抗的电场和平面波在空气与屏蔽体交界成发生反射，因此屏蔽体可做得很薄，但这并不影响其效能，让屏蔽体接地，我们也能阻止低频电场。　　低阻抗磁场会穿过空气与屏蔽体的交界面同时在此交界而发生反射，经过多次内部反射，未被吸收的一部分最终还是泄漏出来，用于磁场屏蔽的材料，其趋肤深度（δ）一定要大些。同时还要求有高的磁导率μ及低的电阻率ρ。为了防止磁场饱和，应在零部件与屏蔽体间留１２mm的间隙。屏蔽体在接合面应形成大于１３至２０mm的重迭部分。弯曲内径应至少是屏蔽体厚度的二倍。　　总的来说，足以支撑自身的足够厚的屏蔽体将对所有部件提供充分的屏蔽，低频率磁场除外，根据经验，在屏蔽体大小和重量起着决定性作用时，使用铜和铝来屏蔽电场，平面波及１μＨｚ到１ＭＨｚ的磁场，用高磁导率合金（钼金属、透磁合金）来屏蔽低于１０ＫＨｚ的磁场，将会达到满意的效果（注：高导磁率合金对冲击极为敏感－从仅６０d高厚掉下可使其磁场屏蔽效能减半），如果我们对某一环路采取屏蔽提供用以减少其噪声发射，我们也会许磁到一些问题，这是由于屏蔽体内部产生了谐振，尤其是屏蔽体尺寸达到波长的一半时，这种现象极易发生，为了避免这个问题，同时吸收电磁场而不发射它们，我们可用低电阻率和高导磁率金属制造出适用的屏蔽体。　　铝和铜胶带能有效地屏蔽敏感物体，变压器、电缆以及密封屏蔽体的缝隙（１１美元到１２美元每平方米）最有效的屏蔽胶带是凹凸印铜，凹凸印铝，带有导电背胶的铜和铝光滑铜和铝，一般的铝薄片（≈２５μm厚）对电场及大于或等于１００ＫＨｚ的磁场能提供有效的屏蔽。　　对于低频磁场，通常用单层铜：单层铜高饱和低磁导率金属，单层低饱和高导磁率金属。若屏蔽体层与层间具有微小的间隙（0.5-0.75毫米或其厚度，不管哪层较大），多层屏蔽体能工作得很好。所有高导磁率金属制成的屏蔽体需采取特殊的热处理，但如果它们经过成形、机械加工、骤然冷却或摔打，会使其屏蔽特性降低。此后，制造商对这些屏蔽材料进行最终定型及加固的处理。　　一些公司出售用高导磁率材料制成的金属屏蔽箔。你可剪开它（留一些宽的交搭部分用以连接之用）然后轻轻地使之弯曲成形，再用胶带缠在一起从而构成屏蔽体，当用这些箔片时，一定要保证所有接缝的方向与磁场平行。保持弯曲处的自然状态，不要焊接或剧烈震动已成形的屏蔽体。柔韧的屏蔽薄片用加厚的绝缘体连接金属薄片，这些材料价值３美元－１４美元每平方米。可被冲模切割成形，柔韧的导电织物也是可行的，可以用于屏蔽电缆，联接器和阴极射线管或形成接地带。（１０美元－４０美元／米２）。　　目前一个极为普通的问题就是怎样对塑料模制品的内口进行屏蔽。一个解决方法是使用蜂窝通风板，它能提供３０－８０dＢ的屏蔽效能，价格在６美元－１１美元每平方米，其主要的弊端是塑料机械特性方面的降低以及蜂窝通风板的不同的分散性，另外两个问题是采用好的连接。因为其表面趋于富集的松脂；尽量得到相同的颜色——这些封口通常应被漆涂覆在一个独立的操