模拟电子技术基础简明第三版第二章讲述.ppt

二 图解法 图 2.7.4　用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 二、动态分析 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导 毫西门子 mS 。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路 二、动态分析 如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。 成为： 根据上式做等效电路如图所示。 图 2.7.5　场效应管的微变等效电路 + + — — G D S 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 微变参数 gm 和 rDS 1 根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 2 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 　　一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rDS 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 2. 输出电路 　　假设在 Q 点附近特性曲线基本上是水平的 ?iC 与 ?uCE无关 ，数量关系上， ?iC 比 ?iB 大 ? 倍； ?iB ? ?iB 　　从三极管输出端看，可以用 ? ?iB 恒流源代替三极管； 该恒流源为受控源； 为 iB 对 iC 的控制。 uCE Q iC O 图 2.4.10 b 3. 三极管的简化参数等效电路 　　注意：这里忽略了 uCE 对 iC与输出特性的影响，在大多数情况下，简化的微变等效电路对于工程计算来说误差很小。 图 2.4.11　三极管的简化 h 参数等效电路 c b e + ?uBE ? + ?uCE ? ?iC ?iB e b c rbe ? ?iB + ?uBE ? + ?uCE ? ?iC ?iB 4. 电压放大倍数 Au；输入电阻 Ri、输出电阻 RO C1 Rc Rb +VCC C2 RL + ? + + VT + ? Ri rbe // Rb ， Ro Rc rbe e b c Rc RL Rb + ? + ? 图 2.4.12　单管共射放大电路的等效电路 二 rbe 的近似估算公式 rbb? ：基区体电阻。 re?b? ：基射之间结电阻。 低频、小功率管 rbb? 约为 300 ? 。 UT ：温度电压当量。 c b e iB iC iE 图 2.4.13 电流放大倍数与电压放大倍数之间关系 讨论 　　1. 当 IEQ 一定时， ? 愈大则 rbe 也愈大，选用 ? 值较大的三极管其 Au 并不能按比例地提高； 因： 　　2. 当 ? 值一定时，IEQ 愈大则 rbe 愈小，可以得到较大的 Au ，这种方法比较有效。 三 等效电路法的步骤 归纳 　　1. 首先利用图解法或近似估算法确定放大电路的静态工作点 Q 。 　　2. 求出静态工作点处的微变等效电路参数 ? 和 rbe 。 　　3. 画出放大电路的微变等效电路。可先画出三极管的等效电路，然后画出放大电路其余部分的交流通路。 　　4. 列出电路方程并求解。 二、 微变等效电路法的应用 　　例：接有发射极电阻的单管放大电路，计算电压放大倍数和输入、输出电阻。 C1 Rc Rb +VCC C2 RL + ? + + VT + ? Re rbe b c Rc RL Rb + ? Re e + ? 图 2.4.14　接有发射极电阻的放大电路 rbe b c Rc RL Rb + ? Re e + ? 根据微变等效电路列方程 　　引入发射极电阻后， 降低了。 若满足 1 + ? Re rbe 与三极管的参数 ?、rbe 无关。 2. 放大电路的输入电阻 　　引入 Re 后，输入电阻增大了。 3. 放大电路的输出电阻 rbe e b c Rc RL Rb + ? + ? Re rbe b c Rc Rb Re e 　　将放大电路的输入端短路，负载电阻 RL 开路 ，忽略 c 、e 之间的内电阻 rce 。 RL 图 2.4.14 b 讨论 引入 Re 后对输出电阻的影响。 rbe e b c Rc Rb Re rce ~ + _ 式中 图 2.4.15　求图 2.4.14 a 电路 输出电阻的等效电路 将 代入 式，放大电路输出电阻为 上式中，通常 ，故可简化为 如果 Re 0 ，但考虑 rce 的作用，则 显然，接入 Re 后，三极管集电极至公共端之间的等效电阻大大提高了。 2.5　工作点的稳定问题 2.5.1　温度对静态工作点的影响 三极管是一种对温度十分敏感的元件。温度变化对管子参数的影响主要表现有： 1. UBE 改变。UBE 的温度系数约为 –2