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高三电子技术试题 一 选择题 1.要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺少量的( ) A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( ) A.V截止U0=-4V B.V导通U0=+4V C.V截止U0=+8V D.V导通U0=+12V 3.NPN型三极管处在放大状态时是( ) A.UBE0, UBC0 B.UBE0, UBC0 C.UBE0, UBC0 D.UBE0, UBC0 4.由NPN型管组成的共射放大电路，输入ui为正弦波，输出u0为 波形，则该电路产生了( ) A.频率失真 B.交越失真 C.截止失真 D.饱和失真 5 .半导体三极管的特点是( ) A.输入电流控制输出电流 B.输入电压控制输出电压 C.输入电流控制输出电压 D.输入电压控制输出电流 6.共模抑制比KCMRR是( ) A.差模输入信号与共模输入信号之比 B.输入量中差模成份与共模成份之比 C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比 D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比 7.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U1=3.2V,U2=2.5Ｖ,U3=12Ｖ, 则以下说法不正确的是( ) A.该管为硅管 B.1为基极，2为发射极，3为集电极 C.该管为NPN型 D.该管为PNP型 8.固定偏流放大电路中，当基极偏流电阻RB增加时( ) A.基极电流增大 B.电压放大倍数增加 C.集电极电流增大 D.交流输出电阻不变 9.下图所示电路是( )。 A.加法运算电路 B.减法运算电路 C.积分运算电路 D.微分运算电路 10.若要求放大电路输入电阻低，且稳定输出电流，在放大电路中应引入的负反馈类型为( ) A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联 11.单相桥式整流电路，变压器次级电压为10V(有效值)，则整流后的输出直流电压为( ) A.4.5V B.9V C.10V D.12V 12.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为20V(有效值)，则滤波后的输出直流电压为( ) A.9V B.20V C.24V D.40V 13. 理想运算放大器的共模抑制比为( )。 A. 0 B. 约50db C. 约100db D. 无穷大 14. 互补对称功率放大电路，若设置静态工作点使两管均工作在乙类状态，将会出现( )。 A. 交越失真 B. 饱和失真 C. 频率失真 D. 截止失真 15. 分析如图所示电路，若电容C脱焊，则UI为( )。 A. 4.5V B. 9V C. 12V D. 14V 16．理想二极管构成的电路如题图所示，则（　　　） A．V截止U0＝－10V B．V截止U0＝－3V C．V导通U0＝－10V D．V导通U0＝－6V 17．某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 18．若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放大电路中应引入的负反馈类型为（　　　） A．电流串联 B．电压串联 C．电流并联 D．电压并联 19．要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡器中的（　　　） A．正反馈环节 B．稳幅环节 C．基本放大电路环节 D．选频网络环节 20．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有