半导体材料与器件测试技术实验指导书要点.docVIP

《半导体材料与器件测试技术》 课程实验指导书 光电工程学院 2012年8月 实验一 半导体电阻率和方阻测量的研究 一 、实验意义 电阻率是半导体材料的重要电学参数之一, 可以反映出半导体内浅能级替位杂质浓度，薄层电阻是表征半导体掺杂浓度的一个重要工艺参数。测量电阻率与薄层电阻的方法很多，如二探针法、扩展电阻法等。而四探针法是目前广泛采用的标准方法，它具有操作方便，精度较高，对样品的几何形状无严格要求等特点。 二、实验目的 1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理； 2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法； 3、能对给定的物质进行实验，并对实验结果进行分析、处理。 三、实验原理 测 量　原理： 将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在 1、4 探针间通以电流 I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压 V(mV)(如图1)。测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，可分别按以下公式计算样品的电阻率、方块电阻、电阻： ` ①. 薄圆片(厚度≤4mm)电阻率： F（D/S）╳ F（W/S）╳ W ╳ Fsp Ω·cm …(1) 其中：D—样品直径，单位：cm或mm，注意与探针间