恒定电场中电介质的极化讲述.pptVIP

恒定电场中电介质的极化 内容提要: 分析电介质的电极化过程。 认识电介质极化的物理机制。 描述电介质极化行为和规律。 恒定电场中电介质的极化 1.2 高斯定理（简要回顾）电场强度是矢量，若能设法变为标量(如电荷或电荷密度)来解决电场问题将方便得多，高斯定理正是实现这一变换的重要公式。设所取曲面包围的区城内没有电荷，那么：从曲面一侧进入的任何一条电力线，一定在曲面上其它一点离开曲面；只有当这空间区域内有电荷存在时，电力线才能发自或终止这一空间区域内。此时严格的数学表述为（高斯定理）： 1.3 两个平行极板间的电场用高斯定理可计算 “无限大” 的“均匀带电”平行极板间的电场。平行极板系统的电场分布示于图两片均匀带电极板各自的电场如图 2-1 和 2-2 所示。 设 E 为两底面上的场强，则通过两底面的电通量，等于通过整个封闭面的电通量：EA十EA，柱面所包围的电荷为σ0A (σ0 为电荷面密度，由于均匀带电，此面的σ0 处处相等 ) ，按照高斯定理得： 两平板外侧：EA 和 EB 是反方向的，所以总电场强度为：  下面我们估计一下，电介质的存在对电容量的影响。设用同样几何形状、尺寸的电极系统 ( d 与 A不变 )，考虑有无电介质这两种情形下的电容量。1）两极板间充满电介质，电容量记为 C12）两极板间处于真空，电容量记为 C0由式 ( 1-10 )，可以得到： 此外，电容器及电介质的尺寸与电容量关系 ？ 可以思考！ 应该注意两点：1）对于铁电晶体， P 与 E 之间不存在这种线性关系。2）由于在与两带电极板贴紧的两个介质表面上出现了束缚电荷，它们实际上 形成了一种 “ 退极化电场 ” ( Depolarization field)，记为 Ed 。 退极化电场 在电介质内部它趋向于对抗外电场，如图2-6 所示。  3. 有效电场 如图 ，设想在介质中挖 一个球，待考察分子处于球心 O，球径远大于分子间距。但是，球径又必须比电极间距小很多，以保证不致因球的存在而引起介质中电场的畸变。球外介质为连续介质，介电常数为ε，球外分子的影响采用宏观方法处理，即想象把球 “挖空” 使球外的影响归结为空球 (ε＝I ) 表面 介质的极化。这样，认为球内外的电场都是均匀的。要同时满足上述两种条件，球大小可考虑约10-7～10-9 米量级，能容几十-几百个分子。 莫索缔 ( Mosotti ) 曾提出上述抵消效应假设：认为球内分子对考察分子作用的贡献可略而不计 !在大多数情况下，这种假设是不成立的。对低压气体介质以及非极性液体介质，可以认为 E 2 等于零。对于立方点阵结构离子晶体，也是可以证明其 E 2 等于零。E2 为零的晶体还有: 体心立方、面心立方、氯化钠型、金刚石型结构。 证明如下（阅读）：————————————————————————假设立方晶体的一边取 Z 轴方向，电场沿 Z 轴方向加上，感应偶极矩与电场同向。这样，在点阵结点上的所有原于 ( 或离子 ) 均可用互相平行的偶极子来代管，只要计算其中一个点偶极子对球心 A 的电场，即可推算出所有球内的偶极子在 A 点产生的电场。 图 2-10 所示为一点偶极子μi，距离O点为 r1 的正电荷及距离 O 点为 r2 的负电荷在 O 点产生的电势可以应用式 (2-4) 得到： 克劳修斯一莫索缔方程 ( Clausius-Mosottie Equation )． 克-莫方程是研究电介质极化的基本关系式，其意义在于：1）该方程将表征极化特性介电常数ε与分子极化率联系了起来；2）提供了计算介电性能参数ε 的方法。这比克劳修斯又前进了一大步 。 4.2.3 离子晶体介质 — 具有某种对称性 也可以保证 E2＝0 式中；N0 ＝6.06×1023，为阿佛加德罗常数，Pg 称为克分子极化强度 。 显然，利用式 (1-47)容易计算电介质分子极化率。M,ρ 都容易测定，而 N0 与ε0 为已知常数，未知数ε 便可方便求出。 实际应用中，常将用式 (1-47) 求得的克分子极化强度 Pg 作成函数关系图，直接判断分子的极性，见图2-11。 对照上述四种基本极化机制，就可以相应地规定：电子极化率 αe 离子极化率 α a 转向极化率 αd 空间电荷极化率 αs 一般情形，总的极化率： α = αe + αa + αd + αs