霍尔传感器的工作原理及应用讲述.pptVIP

霍尔传感器 霍尔传感器的定义 霍尔传感器工作原理 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件的主要特性参数 霍尔元件误差及补偿 霍尔式传感器的应用 霍尔传感器的定义 霍尔传感器的原理 霍尔效应：半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件的主要特性参数 霍尔元件的主要特性参数： (3) 不等位电势Uo和不等位电阻ro 不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。 不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的， r0称不等位电阻 霍尔元件误差及补偿 1. 不等位电势误差的补偿 2. 温度误差及其补偿 1. 不等位电势误差的补偿 可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 电势的补偿电路 对称电路 2. 温度误差及其补偿 温度误差产生原因： 霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。 减小霍尔元件的温度误差 选用温度系数小的元件 采用恒温措施 采用恒流源供电 恒流源温度补偿 恒流源温度补偿电路 控制电流： 霍尔式传感器的应用 1. 微位移和压力的测量 测量原理： 霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来反映霍尔元件的位置。 应用： 位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度 产生梯度磁场的示意图 霍尔式压力传感器 加速度传感器 2. 磁场的测量 在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度成正比，由于霍尔元件的结构特点，它特别适用于微小气隙中的磁感应强度、高梯度磁场参数的测量。 霍尔电势是磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角的函数。 应用：霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器 上一页 返 回 * * 下一页 返 回 上一页 下一页 返 回 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。 起源：1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。 发展：随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 应用：霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 上一页 下一页 返 回 上一页 下一页 返 回 霍尔效应原理图 载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度 平衡状态 电子运动平均速度 上一页 下一页 返 回 因为 霍尔电势 霍尔常数 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小，所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件 上一页 下一页 返 回 霍尔元件 上一页 下一页 返 回 图（a）中，从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上，引出一对电极，其中1-1电极用于加控制电流，称控制电极。另一对2-2电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封装作为外壳。 图（b）是霍尔元件通用的图形符号。 图（c）所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的长度。 图（d）是基本测量电路 。 上一页 下一页 返 回 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 测量以上电阻时，应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。 上一页 下一页 返 回 (1) 输入电阻和输出电阻 输入电阻：控制电极间的电阻 输出电阻：霍尔电极之间的电阻 (2) 额定控制电流和最大允许控制电流 额定控制电流：当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10℃温升时，对应的控制电流值 上一页 下一页 返 回 最大允许控制电流：以元件允许的最大温升限制所对 应的控制电流值 上一页 下一页 返 回 (4) 寄生直流电势 当没