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制程 Date: 一,固晶 流程 准备工作；领料 支架，晶片（需核对与生产规格表是否相符） 排支架注意其方向必须一致,且需戴手套作业,不可用手碰及其焊点区 撕保护膜翻晶时动作不可过快，过重，手势必须轻巧。以防静电产生,若自动翻手动翻一次, 手动晶片需翻两次 扩晶是为了将晶片之间的距离进行扩展，以利方便作业, 扩晶将翻好之晶片放在发热盘的中心,晶片朝上,扩晶机温度40—50℃之间 银胶解冻（在室温半小时，需密封，不可打开瓶盖），搅拌（同一方向搅拌15分钟），作业时需4小时搅拌一次，以防沉淀，装针筒之银胶要适量！ 点胶时其胶量为1/4H≤h≤1/2H，(H为晶片高度，h为银胶高度)，其胶量须均匀，不可过多过少 固晶晶片须固入银胶中心，不可出现漏固、晶片翻倒、晶粒沾胶、晶粒悬浮、倾斜等 a.偏固，影响产品发光角度及亮度 b.表面沾胶影响其发光亮度 c.侧面沾胶易造成P/N极短路，产生IR不良 d.晶片悬浮、倾斜,焊线时易造成焊不上线，或晶片脱落 固好后需进行修正，并将其压到底 固晶烘烤150℃/1.5H，温度及时间须进行核查 10.固晶推力为≥100g 11.扩晶固晶工站必须用离子风扇 二．焊线 流程 1．焊线温度，双铝垫180℃(Max) 单铝垫230℃(Max) 2．焊线时其功率及时间需适宜,功率过大及时间过长易造成 铝垫脱落,晶片脱落或晶片内崩 时间过长易造成焊点扁,焊球大 同时功率过小或焊接时间过短易造成产品虚焊,假焊,拉力不够等 3．焊线之焊球一般为金线的三倍大小， 3. 焊线时，焊球覆盖晶片电极80%—90%为最佳，焊双铝垫之产品，负极焊点必须小于焊盘，不可超出其切割道，超切割道易产生IR不良 a.双铝垫焊线图 N P P 晶片 焊线示意图 b.单铝垫焊线图 P N 晶片 焊线示意图 4. 焊线弧度为2/2h≤H≤3/2h(h为晶片高度，H为焊线弧度，以支架杯沿为基准) H h 5. IPQC对焊好线之产品进行抽检,并对其进行焊线拉力测试,拉力≥5g 三， 白光产品点荧光粉 流程 转料时需小心轻放,以免碰倒金线 荧光粉易沉淀，配胶胶量一次不可过多，应在10g以内，使用时间不可超过2个小时（从配胶时开始计算） 抽真空时间5分钟即可,（抽取表面汽泡即可）以防荧光粉沉淀！取出时若发现有沉淀现象，可用玻璃棒轻轻顺时针搅拌 其胶量须经工程人员确认无误后方可正式作业，(目前所定之胶量与支架碗杯平杯) 荧光粉之胶量必须均匀，,以免造成塌线或死灯不良 IPQC对其胶量进行抽检 一般点完一盘（25片）即进行烘烤，不可在空气中放置时间过长,以防沉淀 烘烤时注意其料盘需放平，不可有左右倾斜现象，以免荧光粉向一边偏斜，造成偏蓝偏黄现象 烘烤条件为100℃/1H，烘烤完毕后，进行第二次点胶作业（视产品而定） 10.二次点胶胶量为微凸 11.二次点胶烘烤条件同上，为100℃/1H 12．烘烤完毕，转入灌胶站进行灌胶作业 13．作业时必须戴手套静电环等静电防护用品 四，灌胶 流程 A胶,色剂,DP均需进行预热,预热温度80℃±10℃，时间1小时以上,色剂,DP使用前须进行搅拌 配胶时允许误差， A/B胶±0.2g(Max) DP(扩散剂) ±0.01g(Max) CP(色剂)±0.01g(Max) 胶水搅拌15分钟,需顺时钟进行,目视其无拉丝状即可,若有色剂有DP之胶水，须进行过滤 3. 抽真空温度为60℃±5℃，时间15分钟（可根据实际胶量情况进行延长或缩短时间），抽好后须检查胶水有无气泡，杂物等,若有此不良现象须延长抽真空时间或进行过滤 模条安装时其方向须一致，以免造成插支架反向，并需注意卡点，若使用低卡，须剪去高卡 每次使用前须进行吹尘，若新来之模条必须进行洗模，（1.可以洗去内部杂物,灰尘等,2.可检查模条是否存在刮伤,凹痕等以免在生产时才发现造成损失），模条使用次数一般为50次，在每次使用时需进行记录，达到50次后以报废处理 模条预热温度125℃，时间1小时以上，预热不够灌胶易产生胶体气泡 沾胶是为了在插支架时避免碗杯气泡，沾胶时注意沾胶厚度，时间及滚轮速度 倒胶时注意，顺着盛胶杯缓慢流下，不可产生气泡，灌胶胶量为与模粒平杯，灌胶