薄膜淀积与外延要点.ppt

页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * 页眉 * ② 影响外延生长速率的因素 B 外延的温度 在实际生产中：外延温度选择在B区原因有二。 a） B区的温度依赖型强； b） 淀积的硅原子也需要足够的能量和迁移能力，高温 5.4 外延膜沉积技术 ② 影响外延生长速率的因素 C 气体流速 由于1200高温下到达衬底表面的不会堆积：因此流速越大，外延层的生长速率越快。 5.4 外延膜沉积技术 ① 系统要求 气密性好； 温度均匀； 气流均匀； 反应剂和掺杂剂的浓度和流量精确可控； 外延前能对衬底做气相抛光； 5.4 外延膜沉积技术 （3） 系统及工序 5.4 外延膜沉积技术 分子束外延（MBE) 分子束外延是在超高真空条件下精确控制原材料的中性分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。从本质上讲，分子束外延也属于真空蒸发方法。 5.4 外延膜沉积技术 1、分子束外延 （2）设备 第4章 外延工艺  三、其它外延 * * 2、异质外延 （1）概述 异质外延也叫非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，如SOS材料就是Si/Al2O3异质外延材料，一些薄膜集成电路就是采用的SOS材料。 第4章 外延工艺  三、其它外延 分子束外延（MBE)特点 (1)由于系统是超高真空，因此杂质气体(如残余气体)不易进人薄膜，薄膜的纯度高。 (2)外延生长一般可在低温下进行。 (3)可严格控制薄膜成分以及掺杂浓度。 (4)对薄膜进行原位检测分析，从而可以严格控制薄膜的生长及性质。 当然，分子束外延生长方法也存在着一些问题，如设备昂贵、维护费用高、生长时间过长、不易大规模生产等。 5.4 外延膜沉积技术 分子束外延的基本装置由超高真空室(背景气压1.3X10-9Pa),基片加热块、分子束盒、反应气体进入管、交换样品的过渡室组成。外，生长室包含许多其他分析设备用于原位监视和检测基片表面和膜，以便使连续制备高质量外延生长膜的条件最优化。除了具有使用高纯元素。 5.4 外延膜沉积技术 液相外延生长(LPE) 液相外延生长原则上讲是从液相中生长膜，溶有待镀材料的溶液是液相外延生长中必需的。当冷却时，待镀材料从溶液中析出并在相关的基片上生长。对于液相外延生长制备薄膜，溶液和基片在系统中保持分离。在适当的生长温度下，溶液因含有待镀材料而达到饱和状态。然后将溶液与基片的表面接触，并以适当的速度冷却，一段时间后即可获得所要的薄膜，而且，在膜中也很容易引人掺杂物。 5.4 外延膜沉积技术 热壁外延生长(HWE) 热壁外延是一种真空沉积技术，在这一技术中外延膜几乎在接近热平衡条件下生长，这一生长过程是通过加热源材料与基片材料间的容器壁来实现的。 蒸发材料的损失保持在最小; 生长管中可以得到洁净的环境; 管内可以保待相对较高的气压; 源和基片间的温差可以大幅度降低。 5.4 外延膜沉积技术 异质外延：异质外延也叫非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，如SOS材料就是Si/Al2O3异质外延材料，一些薄膜集成电路就是采用的SOS材料。 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象 衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免生长的外延层由生长温度冷却至室温时，热膨胀产生残余应力，截面位错，甚至外延层破裂现象发生 衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象 5.4 外延膜沉积技术 异质外延的相容性 异质外延的失配率 其中：a外延层参数； a’衬底参数。 有热膨胀系数失配率和晶格常数失配率 5.4 外延膜沉积技术 异质外延的反相畴 又叫反相混乱，例如非极性的Si上生长极性GaAs在生长的初期Si衬底上有的区域附着Ga，有的区域附着As，不能形成单相的GaAs层，这就叫反相畴。 因此常用MBE法外延GaAs。 5.4 外延膜沉积技术 传统同质外延生长，单晶半导体层是生长在单晶的半导体衬底上．此半导体层和衬底为相同的材料，有相同的晶格常数．因此同质外延是名符其实的晶格匹配外延工艺．同质外延工艺提供了一种控制掺杂浓度分布的重要方法，使器件和电路表现可以最佳化．例如，浓度相对低的n型硅层可以外延生长在n+硅衬底上，此种结构可大幅度降低衬底的串联电阻． 对异质外延而言，外延层和衬底是两种不同的半导体，且外延层的生长必须维持理想的界面结构，这表示穿过