.03.05嵌入式统原理与设计.docVIP

课前复习： 判断某位是0还是1的方法： 6 5 4 3 2 1 0 x x x x x x x 位于上该位掩码 如果得到值为0，该位为0； 如果的到值非0，该位为1； 写程序时可使用语句： if(DAT15!=0)——位于上第5位的掩码，非零则该位为1 1…… else 0…. 二、SRAM介绍 1.存储矩阵 6 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 （立体存储结构） 8位存储器 地址（行地址+列地址） DRAM、FLASH、SRAM结构相同 图具体见书上P117页 2.位存储电路 一位需要1个电阻元件 6个MOS管 6*8*….. 金属氧化物半导体场效应管 开关：栅极 G 漏极 D 原级 S G高电平 DS导通，否则截止 SRAM存储电路： 写数据：选通信号为高电平，T5，T6导通 如果写1，D发出高电平，D#发低电平 当选通信号失效，T1截止，T2导通， T3，T4做负载使用 T4的内阻T2内阻 T3的内阻T1内阻 Q为高电平，由Vcc提供 Q#为低电平，由接地端提供 写1以及读取同理。 电路内部结构能理解多少理解多少。（老师这么说的。） 3.SRAM接口 SRAM地址线充足（行列地址可同时发出） DRAM（先发行地址，再发列地址） FLASH（发四次地址）