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Shanghai Jiao Tong University 1.4场效应晶体管 Field-Effect Transistors (FETs) 内容提要 1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性 1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性 1.4.3场效应管的主要参数 1.4.5场效应管与晶体管的比较 1.4.1结型场效应管的结构和符号 图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图 图1.4.3 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用 沟道变窄 沟道消失 图1.4.4 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 预夹断 恒流 DS间为电阻特性 图1.4.5 场效应管的输出特性 1 2 3 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号 图1.4.8 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响 图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线 图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性 图1.4.13 场效应管的符号及特性 1.4.3场效应管的主要参数 直流参数 交流参数 极限参数 夹断电压 开启电压 饱和漏极电流 直流输入电阻 低频跨导 极间电容 最大漏极电流 击穿电压 最大耗散功率 例 1.4.2 试分析 为0V,8V和10V情况下 分别为多少？ 如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V， 饱和漏电流IDSS=4mA。 试问，为保证负载电阻RL上的电流为 恒流， RL的取值范围为多少？ 1.4.5场效应管与晶体管的比较 流控？压控？ 温度稳定性 噪声 管脚互换性 偏置的多样性 工艺性 放大倍数 今日作业 1.15，1.16 * * 输入=0，管子处于夹断状态，输出为15伏，输入为8伏时，假设管子工作在恒流区，得uo=10V，而预夹断的漏源电压为4V，管子工作在恒流区。输入为10V时，预夹断漏源电压为6伏，管子工作在可变电阻区，电阻为3V/1mA=3k * 栅源电压为0，漏源电压必须大于4V,RL须小于2K
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