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- 2016-07-05 发布于重庆
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高三期末试题
潞城职业高中2010---2011学年度第一学期期末
高三年级机电专业试题
题号 一 二 三 四 总分 得分 一、填空题(每空1分,共30分)
1.半导体其内部有 和 两种载流子。P型半导体其内部少数载流子是 。
2.硅二极管的门坎电压约为 伏,导通电压约为 伏,用万用表1k Ω挡测二极管的正反向电阻,阻值小的一次,红表笔接的是二极管的 极。
3.在图1.1中,二极管为理想器件,V1工作在 状态;V2工作在 状态;为 伏。
4.图1.2所示的全波整流输出电压VL=9V,负载电流IL=1A,那么变压器次级电压V2为 伏。二极管承受的最大反向电压为 伏,流过二极管的平均电流IV为 安。
图1.1 图1.2
5.晶体三极管有 、 和 三种工作状态,当它工作在放大区时,其发射结两端加 电压,集电结两端加 电压。
6.放大器的输入信号电压Vi=0.02V,Ii=1mA,输出电压V0=2V,I?0=0.1A,那么电压增益GV= dB,功率增益GP= d
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