3.2 半导体光检测器原理3版分析.pptVIP

* * 图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图 雪崩效应 * * APD的结构 有多种类型，如图3.26示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。 图3.26 APD结构图 * * 在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到Π(P)层，一直抵达P+接触层，是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。 * * 3、 APD的主要性质 1） 倍增因子 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用， 并把倍增因子g定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。 * * 雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用，所以如果不考虑别的因素，APD的信号电流产生的均方量子噪声电流为  〈i2q〉=2eIPBg2 (3.26a) 这是对噪声电流直接放大产生的，并未引入新的噪声成分。 2. 过剩噪声因子 * * 事实上，雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以会引入新的噪声成分，并表示为过剩噪声因子F。 F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量