4 场效应管及放大电路分析.ppt

4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 电压增益 忽略 rds 由输入输出回路得 则 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （2）动态指标 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 输入电阻 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （2）动态指标 输出电阻 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 砷化镓（GaAs）是由Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，是一种新型半导体材料。 GaAs的电子迁移率比硅约大5～10倍，比硅器件转换速度快很多。 高速砷化镓三极管广泛用于微波电路、高频放大和高速数字逻辑器件中。 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 1. 结构 N沟道金属-半导体场效应管（MESFET） *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 2. 特性 MESFET特性与JFET类似，属耗尽型FET 截止区（vGS＜VPN）： iD＝0 可变电阻区（ vDS ≤ vGS －VPN）： 饱和区（vDS ＞ vGS －VPN）： 沟道长度调制参数?通常为（0.05～0.2）V-1 N沟道MESFET夹断电压VPN的典型值为（－0.5～－2.5）V 4.10 各种FET的特性及使用注意事项 1. 各种FET的特性比较 2. 使用注意事项 1. 各种FET的特