第03章 热平衡态下半导体中载流子的统计分布--2015.09.28分析.ppt

第03章 半导体中载流子的统计分布 ●施主能级分裂成能带； ●导带 = 本征导带 + 杂质能带 ●在 EC 附近，gC(E) 明显增加 ●杂质上的电子直接参与导电 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 电子占据量子态的几率： 费米分布函数 → 简并半导体 玻尔兹曼函数 → 非简并半导体 ● 能量状态密度： 导带：gC(E) ∝ E 1/2 价带：gV(E)∝-E 1/2 第三章 小结 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 载流子浓度： 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 浓度积： 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 本征半导体： ●非简并半导体： N型： 低温弱电离区 （P 型？） 第03章 半导体中载流子的统计分布 只含ND： 第03章 半导体中载流子的统计分布 饱和电离区 只含ND 第03章 半导体中载流子的统计分布 过渡区 本征区 第03章 半导体中载流子的统计分布 ● 饱和电离区的确定 ● 简并半导体 载流子浓度 简并条件： 或 简并时的杂质浓度和杂质能级 重掺杂 杂质能带 第03章 半导体中载流子的统计分布 第三章习题 1.计算能量在 之间单位体积的量子态数。 2. 在Ge中施主杂质电离能为 施主杂质浓度分别为